| 研究概要 |
センサネットワークなどの計測用センサから受け取った信号を処理する集積回路の温度特性を検討し,改善手法を提案した。まず,MOSFETを低電圧動作させるときの温度の影響を表すモデルを提案した。次に,既提案の0.6V・広ダイナミックレンジのフィルタについて,温度変動による誤差を打ち消すように,負の温度係数をもつ直流電圧源を用いる回路を構成をした。さらに,カレントミラーにおけるMOSFETの拡散領域-基板間のpn接合電流を利用して温度特性を改善する設計を提案し,400Kにおける入出力電流間の誤差を1%未満に抑えることを可能にした。
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