ダイヤモンド半導体評価のための高感度非輻射欠陥評価系の開発

• 研究課題/領域番号: 22760300
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 計測工学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 毎田 修 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40346177)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: ダイヤモンド / ワイドギャップ / 非輻射欠陥

研究概要

本研究の目的はダイヤモンド結晶を中心としたワイドギャップ半導体材料の非輻射欠陥評価系を開発することである。焦電素子による信号検出系を用いることで高感度化した試料温度可変(80～400K)光音響分光評価系を開発し、高温高圧合成ダイヤモンド結晶およびマイクロ波プラズマCVD法により形成したホモエピタキシャルダイヤモンド自立膜の特性評価を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Survey meter combining CVD diamond and silicon detectors for wide range of dose rates and high accumulated doses (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Sato
  • 雑誌名: Radiation Measurements 巻: Vol.47 号: 4 ページ: 266-271
  • DOI: 10.1016/j.radmeas.2012.02.011
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their ultraviolet detector performance (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, H. Sato, M. Kanasugi, S. Iguchi and T. Ito
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: Vol.20 号: 2 ページ: 242-245
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2010.12.016
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hall data analysis of heavily boron-doped CVD diamond films using a model considering an impurity band well separated from valence bands (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Aono
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: Vol.20 号: 10 ページ: 1357-1362
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2011.08.008
  • 査読あり
• [学会発表] ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンドの高濃度ドープ領域における特性評価II (2012)
  • 著者名/発表者名: 森玲央奈, 毎田修, 伊藤利道
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Growth of phsphorus-doped homoepitaxial CVD diamond on vicinal(001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Nishio, O. Maida and T. Ito
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: Kyoto(Japan)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Improvement on P-type performance of CVD diamond by isolating thin heavily-boron-doped layer as innumerable islands (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, M. Aono and T. Ito
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: Kyoto(Japan)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Improvement on P-type performance of CVD diamond by isolating thinheavily-boron-doped layer as innumerable islands (2011)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: 京都テルサ(京都府)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Growth of phsphorus-doped homoepitaxial CVD diamond on vicinal (001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nishio
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: 京都テルサ(京都府)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] (001)微斜面基板上の高濃度燐ドープダイヤモンドのMWPCVD成長における基板温度の適正化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 多田周平, 毎田修, 伊藤利道
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンドの高濃度ドープ領域における特性評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 森玲央奈, 伊藤利道, 毎田修
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] (001)微斜面基板上の燐ドープCVDダイヤモンド薄膜におけるホモエピタキシャル成長プロセスの適正化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西尾晴樹, 毎田修, 伊藤利道
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Fabrication of self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal(001) surfaces and its application to the high-energy photon detectors (2010)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, S. Iguchi, T. Igarashi, H. Sato and T. Ito
  • 学会等名: 21st European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Budapest(Hungary)
  • 年月日: 2010-09-09
• [学会発表] Hall data analysis of heavily-boron-doped CVD diamond films based on a two-type carrier model and their application to improvement on p-type performance of CVD diamond (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Aono, O. Maida and T. Ito
  • 学会等名: 21st European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Budapest(Hungary)
  • 年月日: 2010-09-09
• [学会発表] Fabrication of self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces and its application to the high-energy photon detectors (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Aono, O.Maida, T.Ito
  • 学会等名: 21st European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
  • 発表場所: Budapest(Hungary)
  • 年月日: 2010-09-06
• [備考]
  • URL: http://daiyan.eei.eng.osaka-u.ac.jp/