| 研究概要 |
情報ストレージ分野では,磁気ディスクのさらなる高記録密度化・高速化の実現に向けた次世代磁気記録方式の研究について高記録密度化の記録・再生技術,高速化の記録技術の研究が活性化している,一方,高速再生技術すなわち高速磁気センシング技術においては,強磁性共鳴周波数を超える高速化に対し打開策がまったく見出されておらず,再生技術が高速化のボトルネックとなる,そこで本研究では,まったく新たな原理に基づいた磁気センシング技術の基礎を早期に確立するため外部磁界による表面プラズモン共鳴の制御手法を検討した,表面プラズモン励起層と磁気制御層とに機能分離した多層薄膜構造を考案・採択することにより,励起された表面プラズモンにおいて磁気応答性の確認を確認した,励起層としてCuを磁気制御層としてC。/Cu/Co積層膜を用いた,さらに異なる方向からの印加磁界において本磁気応答性を観測した.
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