| 研究課題/領域番号 |
22760510
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
山田 智明 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (80509349)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 強誘電体 / 誘電体物性 / エピタキシャル / 歪み・応力 / 強誘電体薄膜 / エピタキシャル・単結晶成長 |
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| 研究概要 |
電界印加で誘電率のチューナブル特性を示す立方晶の(Ba,Sr)TiO3 薄膜について、薄膜の歪みが誘電特性に与える影響の結晶方位依存性を調べた。基板と膜の熱膨張係数差や外部応力の印加によって、 配向制御薄膜へ歪みを導入し、その誘電特性を評価した。その結果、(111)配向薄膜は、 (100)配向薄膜に比べて歪みに対する誘電特性の変化が小さく、歪み鈍感な結晶方位であることが分かった。
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