| 研究課題/領域番号 |
22760515
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
宮川 仁 独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導物性ユニット, 主任研究員 (40552667)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2011年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2010年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 高圧合成 / 置換ドーピング / 典型金属酸化物 / セラミックス / イオン結晶 / 電子・電気材料 |
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| 研究概要 |
12CaO・7Al_2O_3(C12A7)結晶の高圧合成を試みた。結果、圧力2.5 GPa、1000℃でC12A7結晶が得られた。高濃度置換ドーピングによるその誘導体の高圧合成はできなかったが、同じ結晶構造をとる12SrO・7Al_2O_3(S12A7)結晶の高圧合成に成功した。また、ヒーター内の温度分布の改善を試み、試料空間内に存在する温度差を～95℃から10℃以下に低減し、より良質な試料が作製できる高圧セル構成を確立した。
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