| 研究課題/領域番号 |
22760519
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 大阪大学 (2011-2012)
独立行政法人理化学研究所 (2010) |
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研究代表者 |
藤原 宏平 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (50525855)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 酸化物エレクトロニクス / 抵抗変化メモリー / 酸化還元 / 酸化物デバイス / ナノワイヤ / 光電子分光 / 電荷秩序 / 遷移金属酸化物 / 半導体物性 |
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| 研究概要 |
遷移金属酸化物で発現する抵抗スイッチング現象のメカニズム解明、特に酸化還元反応の関与を実験的に明らかにすることを目指した。デバイス内部の局所領域で発現するとされる化学変化を検出するためのユニークなデバイス構造として、抵抗変化サイトが予め規定されたナノワイヤー型素子を開発した。 Ni ナノワイヤー素子を用いた三次元ナノ光電子分光実験から、 抵抗スイッチングに伴い NiO への酸化 (高抵抗化) ・金属 Ni への再還元 (低抵抗化)が生じることを見出し、抵抗スイッチングの微視的起源が酸化還元であることを実証することに成功した。
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