| 研究課題/領域番号 |
22810008
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造科学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
大塚 朋廣 東京大学, 大学院・工学系研究科, 研究員 (50588019)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2011年度: 1,365千円 (直接経費: 1,050千円、間接経費: 315千円)
2010年度: 1,365千円 (直接経費: 1,050千円、間接経費: 315千円)
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| キーワード | 量子ドット / 量子細線 / 量子ホール効果 / メゾスコピック系 / スピン偏極 / マイクロ・ナノデバイス / 量子エレクトロニクス |
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| 研究概要 |
半導体微細構造を用いた多数量子系に関する実験研究を行った。具体的には、多数量子系の主要素となる量子ホールエッジ状態について量子ポイントコンタクトを用いてエネルギー緩和を測定し、その緩和機構を明らかにした。またスピンを利用した多数量子系を形成する際に重要となる半導体微細構造中での局所スピン偏極について、シングルリード量子ドットを用いて低磁場で低擾乱に測定できる手法を開発し、その動作を確認した。さらにこの手法を用いて、量子ホールエッジ状態における局所スピン偏極の解明を行った。
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