赤外・ラマン分光法を用いた有機トランジスタ型メモリーの動作特性解析

• 研究課題/領域番号: 22850018
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 分析化学
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 酒井 平祐 早稲田大学, 理工学術院, 助教 (30580401)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2011年度: 1,235千円 (直接経費: 950千円、間接経費: 285千円); 2010年度: 1,625千円 (直接経費: 1,250千円、間接経費: 375千円)
• キーワード: 有機トランジスタ / 有機メモリー / 有機絶縁体 / ラマン分光法 / 赤外分光法 / 有機半導体デバイス / 有機電子材料・素子 / 機器分析

研究概要

本研究では、顕微ラマン測定装置を用いることで、メモリー素子の駆動前後に微小領域での有機分子の配向の変化に関する知見を得ることを目指したが、配向の変化を示すような顕著な結果が得られなかった。そこで、より感度の高い赤外分光法を用いた評価に切り替えて実験を進めたところ、配向の変化を示唆するような結果が得られた。
また、研究の過程で得られた知見をもとにして、ナイロン11を有機トランジスタの絶縁層として適用したメモリー素子の駆動に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Organic Field-Effect Transistor-based Memory with Nylon 11 as Gate Dielectric (2012)
  • 著者名/発表者名: Heisuke Sakai, Hayato Isoda, and Yukio Furukawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: Vol.51 ページ: 40210-40210
  • NAID: 40019230928
  • 査読あり
• [雑誌論文] Organic Field-Effect-Transistor-Based Memory with Nylon 11 as Gate Dielectric (2012)
  • 著者名/発表者名: Heisuke Sakai, Hayato Isoda, Yukio Furukawa
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 4R ページ: 040210-040210
  • DOI: 10.1143/jjap.51.040210
  • NAID: 40019230928
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synthesis of Kinetically Stabilized 1,2-Dihydrodisilenes (2012)
  • 著者名/発表者名: Tomohiko, Agou, Yusuke Tomohiro, Takahiro Sasamori, Shigeru Nagase 他6名 (Tomohiko Agou)
  • 雑誌名: J. Am. Chem. Soc. 巻: 134 号: 9 ページ: 4120-4123
  • DOI: 10.1021/ja300694p
  • 査読あり
• [雑誌論文] 絶縁層中のイオンによる分極を用いた有機電界効果トランジスタのドレイン電流変調 (2011)
  • 著者名/発表者名: 酒井平祐、矢島覚、今野広大、松島敏則、村田英幸
  • 雑誌名: 応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌 巻: Vol.22 ページ: 101-101
  • NAID: 10028210866
• [雑誌論文] 絶縁層中のイオンによる分極を用いた有機電界効果トランジスタのドレイン電流変調 (2011)
  • 著者名/発表者名: 酒井平祐、矢島覚、今野広大、松島敏則、村田英幸
  • 雑誌名: 応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会 巻: 22 ページ: 101-104
  • NAID: 10028210866
• [雑誌論文] Nonlithographic fabrication of a submicron-channel organic field-effect transistor using a controllable electrospun single fibre as a shadow mask (2011)
  • 著者名/発表者名: Yuya Ishii, Heisuke Sakai, Hideyuki Murata
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 22
  • 査読あり
• [学会発表] Organic field-effect transistor-based memory with nylon 11 as gate dielectric (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Sakai, H. Isoda, and Y. Furukawa
  • 学会等名: 2nd Jilin-Korea-Waseda Alliance Annual Symposium
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2012-02-10
• [学会発表] Organic field-effect transistor-based memory with nylon 11 as gate dielectric (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Sakai, H.Isoda, Y.Furukawa
  • 学会等名: 2nd Jilin-Korea-Waseda Alliance Annual Symposium
  • 発表場所: 東京(日本)
  • 年月日: 2012-02-10
• [学会発表] Organic Memory Transistors by Using Photoactive Dielectric Layer (2011)
  • 著者名/発表者名: D.T.Toan, et al
  • 学会等名: The Asian Conference on Organic Electronics 2011 (A-COE 2011)
  • 発表場所: 台北(台湾)
  • 年月日: 2011-11-06
• [学会発表] ナイロンを絶縁層に用いた有機電界効果トランジスタ型メモリー (2011)
  • 著者名/発表者名: 酒井平祐、磯田隼人、古川行夫
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形、山形大学
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] ナイロンを絶縁層に用いた有機電界効果トランジスタ型メモリー (2011)
  • 著者名/発表者名: 酒井平祐、磯田隼人、古川行夫
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] 絶縁層中のイオンによる分極を用いた有機電界効果トランジスタのドレイン電流変調 (2011)
  • 著者名/発表者名: 酒井平祐、矢島覚、今野広大、松島敏則、村田英幸
  • 学会等名: 応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会研究会「有機分子・バイオエレクトロニクスの動向と展望
  • 発表場所: 兵庫、神戸大学
  • 年月日: 2011-06-24
• [学会発表] 絶緑層中のイオンによる分極を用いた有機電界効果トランジスタのドレイン電流変調 (2011)
  • 著者名/発表者名: 酒井平祐、矢島覚、今野広大、松島敏則、村田英幸
  • 学会等名: 2011年応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会研究会「有機分子・バイオエレクトロニクスの動向と展望」
  • 発表場所: 神戸大学(兵庫)
  • 年月日: 2011-06-24
• [学会発表] 一軸配向したシングルサブミクロン共役系高分子ファイバーの物性評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石井佑弥, 酒井平祐, 古川行夫, 村田英幸
  • 学会等名: 第58回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] Nonvolatile memory effect in metal-insulator-semiconductor capacitor devices with negative charge storage polymer dielectric material (2011)
  • 著者名/発表者名: D.T.Toan, H.Sakai, T.Matsushima, et al.
  • 学会等名: 7th International Thin-Film Transistor Conference
  • 発表場所: Cambridge, UK
  • 年月日: 2011-03-03
• [学会発表] Modulating a drain current of organic field-effect transistors by polarization of gate dielectric (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Sakai, Y. Furukawa, and H. Murata
  • 学会等名: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 年月日: 2010-12-19
• [学会発表] Organic nonvolatile memories based on space charge polarization effect (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Yajima, H.Sakai, H.Murata
  • 学会等名: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 年月日: 2010-12-19
• [学会発表] Highly efficient PLEDs using Polymer blend as an emitting layer. (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Abe, H.Sakai, H.Murata
  • 学会等名: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 年月日: 2010-12-15
• [学会発表] Large shift of threshold voltage of organic field effect transistor by photoinduced change of dielectric permittivity in molecular doped polymer gate dielectrics (2010)
  • 著者名/発表者名: T.T.Dao, S.Yajima, Y.Ishii, H.Sakai, et al.
  • 学会等名: The 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 年月日: 2010-12-15
• [学会発表] Nonlithographic fabrication of a submicron-channel organic field-effect transistor using a controllable electrospun single fiber as a shadow-mask (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Ishii, H.Sakai, H.Murata
  • 学会等名: 9th International Conference on Nano-Molecular Electronics
  • 発表場所: Kobe, Japan
  • 年月日: 2010-12-14
• [学会発表] Inkjet printing of functional inks for organic thin film transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Sakai, K.Fukada, G.Katsuki, T.Shimoda
  • 学会等名: JAIST International Symposium on Nano Technology 2010 (NT2010)
  • 発表場所: Ishikawa, Japan
  • 年月日: 2010-09-30
• [学会発表] Highly efficient PLEDs using Polymer Blend as an Emitting Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Abe, H.Sakai, H.Murata
  • 学会等名: The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
  • 発表場所: Toyama, Japan
  • 年月日: 2010-06-23
• [学会発表] Photo Organic Field Effect Transistor based on Photoinduced Change of Dielectric Permittivity in Molecular Doped Polymer Gate Insulator (2010)
  • 著者名/発表者名: D.T.Toan, S.Yajima, H.Sakai, et al.
  • 学会等名: The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
  • 発表場所: Toyama, Japan
  • 年月日: 2010-06-23