| 研究課題/領域番号 |
22860004
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
黒田 理人 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40581294)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,146千円 (直接経費: 2,420千円、間接経費: 726千円)
2011年度: 1,508千円 (直接経費: 1,160千円、間接経費: 348千円)
2010年度: 1,638千円 (直接経費: 1,260千円、間接経費: 378千円)
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| キーワード | MOSトランジスタ / 1/fノイズ / Random Telegraph Noise / CMOSイメージセンサ / シリコン / ノイズ / Random Telegraph Signalノイズ / MOSFET |
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| 研究概要 |
100万個を超えるMOSトランジスタのノイズを統計的に評価可能な計測手法を用いて、構造パラメータを振ったトランジスタのノイズを評価した。その結果、埋め込み層厚さが60nmの埋め込みチャネル構造では、通常の表面チャネル構造と比べRandom Telegraph Noiseの発生頻度が約1/60に低減することを見出した。また本構造の導入によるノイズ低減メカニズムを明らかにし、高感度CMOSイメージセンサへの適用に向けた低ノイズMOSトランジスタ構造の最適化指針を創出した。
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