| 研究課題/領域番号 |
22860022
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
黒川 康良 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (00588527)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
3,146千円 (直接経費: 2,420千円、間接経費: 726千円)
2011年度: 1,508千円 (直接経費: 1,160千円、間接経費: 348千円)
2010年度: 1,638千円 (直接経費: 1,260千円、間接経費: 378千円)
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| キーワード | 太陽電池 / 量子効果 / バンドギャップ制御 / シリコンナノワイヤ / 光閉じ込め / エッチング / 第三世代 / ナノ構造 |
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| 研究概要 |
ナノシリカ粒子をエッチングマスクとすることで、直径30nmという極小の径を有するシリコンナノワイヤ(SiNW)アレイを大面積化が可能なMetal assisted chemical etching法にて作製することに成功した。光学特性評価では、作製されたSiNWアレイの高い光閉じ込め効果を確認した。また、Al_2O_3を原子層堆積法により、SiNW表面全体を覆うように製膜することに成功し、SiNWアレイを高品質化できることを実証した。最終的に初期的なSiNW太陽電池構造を作製し、その発電を確認することができた。
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