Ｓｉ結晶層を原子層単位で成型・剥離できる自律型ウェットナノ加工の高度化と展開

• 研究課題/領域番号: 22H00187
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 有馬 健太 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10324807)
• 研究期間 (年度): 2022-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 41,860千円 (直接経費: 32,200千円、間接経費: 9,660千円); 2024年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円); 2023年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円); 2022年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
• キーワード: シリコン表面 / ウェットエッチング / 原子層 / 自己組織化 / トレンチ加工

研究開始時の研究の概要

原子層レベルまで厚さを低減したシリコン（Si）結晶は、多用な電子・光学デバイスへの適用が期待される次世代材料である。本研究では、複数のウェットプロセス（薬液を用いた化学処理）を巧みにSi結晶層に適用する。これにより、厚さと幅が共に制御された、Si原子層リボンを簡便に形成することを目的としている。また、得られたSiナノ構造体について、原子構造や電子状態等の特性を正しく計測・評価することも目指す。