研究課題/領域番号 |
22H00210
|
研究種目 |
基盤研究(A)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
|
研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
岩崎 孝之 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80454031)
|
研究分担者 |
谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 拠点長 (80354413)
宮本 良之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (70500784)
牧野 俊晴 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20360258)
岩本 敏 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40359667)
|
研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
|
配分額 *注記 |
43,030千円 (直接経費: 33,100千円、間接経費: 9,930千円)
2022年度: 20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円)
|
キーワード | 量子光源 / ダイヤモンド / IV族-空孔中心 / 電荷制御 |
研究開始時の研究の概要 |
安全な通信を可能とする量子ネットワークの基礎となる優れた固体量子光源の開発には、光・スピン特性の制御技術の高度化が必要であるが、そのためには量子光源系の電荷状態遷移のメカニズムの理解および制御方法の開発が重要となる。本研究課題では、量子ネットワーク応用へ有力なIV族元素を用いたダイヤモンド量子光源であるスズ-空孔(SnV)および鉛-空孔(PbV)中心の電荷制御技術に関する研究を推進する。SnV, PbV中心の電荷制御に関する研究を光による電荷遷移ダイナミクスの制御、高品質化技術、半導体デバイスを用いた手法から実験および理論の協力体制で推進する。
|