研究課題
基盤研究(A)
水の完全分解を行う半導体光触媒では,遷移金属酸化物やコバルトリン酸化物の触媒・助触媒活性の理解には正確なバンド端位置やスピン状態の計算が求められ,通常の第一原理計算に代わる高度な電子相関理論に基づいた計算手法の発展が望まれる。本研究では,独自のF12 理論・強相関ソルバーを量子埋め込みとの統合・発展を行い,電子相関計算に基づく高精度な固体のバルク・表面状態の高速計算を可能にする。これまで定量的な理解が困難であった半導体光触媒の反応機構や合理的なデバイス設計を可能にする計算手法の確立を目指す。