研究課題/領域番号 |
22H01834
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
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研究機関 | 秋田県立大学 |
研究代表者 |
鈴木 庸久 秋田県立大学, システム科学技術学部, 教授 (90501479)
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研究分担者 |
峯田 貴 山形大学, 大学院理工学研究科, 教授 (50374814)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2023年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
2022年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
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キーワード | 固体電解質 / 電解研磨 / 鏡面加工 / カーボンナノチューブ / ポリイミド |
研究開始時の研究の概要 |
機械的強度と高イオン伝導を可能とするカーボンナノチューブ(CNT)を基材とする高分子電解質複合粒子を設計し、電解液の代わりに、この固体電解質粒子を介した固/固界面体電解研磨によるSiCなどの鏡面加工法を開発する。電解作用(アノード溶解および酸化現象)による生成物の形成や除去などの固/固界面体電解研磨機構を解明する。さらに、1.酸化を用いた固/固界面電解ポリシング法、2.アノード溶解を用いた固/固界面バレル電解研磨法を提案し、それぞれ、SiCウェハの超平坦化、3 D形状を有する金型の鏡面加工の実現可能性を示す。
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