研究課題/領域番号 |
22H01914
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 関西大学 |
研究代表者 |
山本 真人 関西大学, システム理工学部, 准教授 (00748717)
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研究分担者 |
上野 啓司 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (40223482)
麻生 亮太郎 九州大学, 工学研究院, 准教授 (40735362)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
17,290千円 (直接経費: 13,300千円、間接経費: 3,990千円)
2023年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
2022年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
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キーワード | 二次元物質 / 原子層物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 機能性酸化物 / 抵抗変化メモリ / 不揮発性メモリ |
研究開始時の研究の概要 |
遷移金属酸化物は、既存の半導体には見られない特性を示すことから、次世代のエレクトロニクス基盤材料としての期待が大きい。しかし、今後、遷移金属酸化物をトランジスタやメモリなどの多様なデバイスに応用し、実用に適う超低消費電力動作を実現させるためには遷移金属酸化物を任意基板上で超薄膜形成させる汎用技術の開拓が必要不可欠である。本研究では、遷移金属酸化物の将来的なエレクトロニクスへの実装を視野に入れ、どこへでも貼り付け剥がすことのできる遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を均一酸化させることで、任意基板上への転写が可能な遷移金属酸化物を超薄膜形成させる技術の確立を目指す。
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