研究課題/領域番号 |
22H01958
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
研究代表者 |
浦岡 行治 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (20314536)
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研究分担者 |
上沼 睦典 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (20549092)
Bermundo J.P.S 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (60782521)
來福 至 青山学院大学, 理工学部, 助教 (60936871)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2023年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2022年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
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キーワード | 原子層堆積法 / 高集積化 / 3次元素子 / 信頼性 / メモリ / 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 三次元高集積回路 |
研究開始時の研究の概要 |
近未来社会において、技術を支える半導体LSIに対する性能向上と低消費電力化の要望はますます高まりつつある。この課題を解決することのできるのが、InGaZnOを中心とする金属酸化物薄膜形成技術である。しかし、従来の金属酸化膜はスパッタ法で形成されていたため、均一性においてスパッタ法を用いる限り完全な解決は得られない。そこで新たに原子層堆積法による膜厚の均一な金属酸化物薄膜の形成実現とその膜成長メカニズムを解明する。原料の選択や組み合わせ、基板温度やガス供給タイミングなどの形成条件が電子物性に与える影響を明らかにし、本膜をチャネルとした縦型トランジスタと不揮発性メモリの試作実証する。
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