研究課題/領域番号 |
22H03598
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分60090:高性能計算関連
|
研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
横田 理央 東京工業大学, 学術国際情報センター, 教授 (20760573)
|
研究分担者 |
荻田 武史 東京女子大学, 現代教養学部, 教授 (00339615)
星 健夫 鳥取大学, 工学研究科, 准教授 (80272384)
伊田 明弘 国立研究開発法人海洋研究開発機構, 付加価値情報創生部門(地球情報科学技術センター), 副主任研究員 (80742121)
|
研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
|
配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2023年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2022年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
|
キーワード | 高性能計算 / 電子状態計算 / 精度保証 / H行列 / 固有値問題 |
研究開始時の研究の概要 |
本課題では、物質・材料開発の基盤となる電子状態計算における固有値問題を、H行列を用いて密行列と同等の精度を維持しながらもO(NlogN)の計算量に低減する方法を提案する。既存の疎行列を用いた近似解法では行列の正定値性が失われ、分子間相互作用を無視するため電気伝導特性の評価が困難である。一方、密行列として扱う場合は固有値問題の計算量はO(N^3)になり、現実的な時間で計算することはできない。H行列を用いた提案手法は正定値性も保持でき、ランク次第では密行列と同等の精度で固有値計算をO(NlogN)で実現できる。
|