研究課題
基盤研究(C)
省エネルギ型のパワーデバイス半導体の出現が待望されているが,新素材として期待されるSiC,GaN,酸化ガリウムやダイヤモンドは,化学的に安定で高硬度であるため加工コストが高い.そこで,半導体基板製造工程において多くの時間を占めるワイヤー切断工程に,極短時間の間欠電流による微細なダメージを生じさせ,その後,そこに電界泳動で砥粒を配置制御することで高効率な切断加工を行う「電界スパイキングスライス技術」を創出する.