水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ

• 研究課題/領域番号: 22K04200
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 高知工科大学
• 研究代表者: 古田 守 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 (20412439)
• 研究期間 (年度): 2022-04-01 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2022年度)
• 配分額: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円); 2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2023年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2022年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: 酸化物半導体 / 酸化インジウム / 薄膜トランジスタ / 固相結晶化 / フレキシブルデバイス

研究開始時の研究の概要

本研究は、水素添加した酸化インジウム（InOx:H）薄膜の低温（～250℃）熱処理による固相結晶化メカニズム、ならびに電気的性質の金属－半導体転移メカニズムを明らかにすることにより、これまで透明金属として用いられてきた多結晶InOx薄膜に高移動度酸化物半導体材料として新たな機能を創成する。本研究を通じ、耐熱温度が低いプラスチック基板上に高移動度多結晶InOx:Hトランジスタを実証し、フレキシブルデバイスの飛躍的性能向上を狙う。