化学的に表面修飾されたクラスターの堆積によるサブナノ空隙抵抗スイッチング

• 研究課題/領域番号: 22K04859
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28010:ナノ構造化学関連
• 研究機関: 豊田工業大学
• 研究代表者: 安松 久登 豊田工業大学, 工学部, 客員教授 (20281660)
• 研究期間 (年度): 2022-04-01 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2022年度)
• 配分額: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2023年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2022年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
• キーワード: サブナノクラスター / クラスター堆積 / サブナノギャップ / 抵抗スイッチング

研究開始時の研究の概要

サブナノ粒子間の空隙の特性制御と電導現象の解明を目指して、数個から百個程度の原子で構成されるサブナノサイズのクラスター堆積された抵抗スイッチング素子を作製し、その電気特性を計測することで、サブナノクラスター堆積素子の特徴を引き出し、既存概念を超えた新規な機構で動作する電子素子物質群創生の方向性を示す。堆積されたクラスター間の空隙を流れるトンネル電気伝導に対して、クラスターのサイズ、形状、表面の化合状態、印加するパルス電圧の形状がどのように関わっているのかを追求し、動作原理解明の方法論を示す。メモリ素子の高速・大容量・高耐久・低電力化に繋げて、安全・安心社会の構築に貢献する。