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2次元物質単層シートの組成制御によるバンドギャップエンジニアリングの確立

研究課題

研究課題/領域番号 22K04881
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分28030:ナノ材料科学関連
研究機関東邦大学

研究代表者

柳瀬 隆  東邦大学, 理学部, 講師 (00640765)

研究分担者 島田 敏宏  北海道大学, 工学研究院, 教授 (10262148)
研究期間 (年度) 2022-04-01 – 2025-03-31
研究課題ステータス 交付 (2023年度)
配分額 *注記
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2024年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2023年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2022年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
キーワード遷移金属ダイカルコゲナイド / 化学気相成長法 / 2次元物質 / バンドギャップエンジニアリング
研究開始時の研究の概要

本研究は2次元物質である遷移金属ダイカルコゲナイドを用いて2元系単層シートの組成制御を達成し、バンドギャップ変調を実証する。独自に開発を進めてきた自動ガス供給システム付きの流路分離型化学気相成長装置を用いることで、0.1eV単位でのバンドギャップ制御を可能とする。具体的にはMo1-xHfxS2とW1-xHfxSe2の2元系単層シートを合成し、それぞれについて1.3~1.8eV、0.5~1.3eVの範囲でバンドギャップを制御する。さらに、Raman分光を用いた簡易的組成決定法の開発も行う。

研究実績の概要

本研究は2次元物質である遷移金属ダイカルコゲナイドを用いて2次元物質シートの組成制御を達成し、バンドギャップの変調を実証することが目的である。当初の計画ではMoS2とHfS2の混晶化によりバンドギャップの制御を行う予定であったが、原料であるHfCl5の蒸気圧が安定しないためNbS2との混晶化に切り替えてMo1-xNbxS2の合成を行っているが、当初の目的を達成する上で問題はないと考えている。研究を進めて行く過程で、CVD装置に新たな気化器を導入し、原料ガスの濃度安定化と繰り返し利用を達成した。その結果、再現性と装置稼働率の向上を実現できた。実際にMo/Nbの組成比を変化させて合成を行ったところ、Nb含有量の変化にともなってシート抵抗が変化することは確認しており、この結果はMo/Nb比を精密に制御できていることを示唆しており、当初の研究目的に近づいていると言える。現在はさらなる再現性の向上と組成制御の厳密化を目指して装置改良を行っているところである。関連する研究内容で2023年秋の応用物理学会で口頭発表を行ったほか、CrstEngCommに論文が1報掲載された。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

当初の計画ではMo1-xHfS2を合成する予定であったが、実験の都合でMo1-xNbS2に切り替えたところ思いのほかスムーズに実験が進んだため。

今後の研究の推進方策

HfがNbに変更になった以外は、当初の計画通りに研究を進める。2024年度中にMo1-xNbxSの組成制御を実証する。

報告書

(2件)
  • 2023 実施状況報告書
  • 2022 実施状況報告書
  • 研究成果

    (3件)

すべて 2024 2023 2022

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (2件)

  • [雑誌論文] Unidirectional growth of epitaxial tantalum disulfide triangle crystals grown on sapphire by chemical vapour deposition with a separate-flow system2024

    • 著者名/発表者名
      Takashi Yanase, Miu Ebashi, Kotaro Takamure, Wataru Ise, Hiroki Waizumi, Akira Chikamatsu, Yasushi Hirose, Toshihiro Shimada
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 26 号: 3 ページ: 341-348

    • DOI

      10.1039/d3ce00906h

    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] 化学気相蒸着法によるエピタキシャルTaS2薄膜の作製2023

    • 著者名/発表者名
      柳瀬隆
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実施状況報告書
  • [学会発表] 化学気相蒸着法によるHfS2薄膜の作製2022

    • 著者名/発表者名
      柳瀬隆
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 関連する報告書
      2022 実施状況報告書

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公開日: 2022-04-19   更新日: 2024-12-25  

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