| 研究課題/領域番号 |
22K04948
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
加来 滋 東京工業大学, 理学院, 助教 (80583137)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2023年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2022年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 結晶工学 / 走査トンネル顕微鏡 / 超高真空 / ナノ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、近年注目される新しい結晶成長法であるRemote epitaxyの解明とその材料工学としての展開を目指す。Remote epitaxyでは、基板3次元材料表面とその上に置かれたGraphene等の2次元材料とからの、両方の影響を利用した結晶成長を行う。Graphene上の成長薄膜を剥離・転写できることが特徴である。しかし、理想的に清浄な2次元&3次元材料界面の形成方法は確立されておらず、本研究でその実現を目指す。理想的な界面を得ることで、原子レベルに正確にRemote epitaxyを解明かつ制御し、free standingな半導体極薄膜をはじめとした、新しい材料創成を目指す。
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