| 研究課題/領域番号 |
22K04953
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
富樫 理恵 上智大学, 理工学部, 助教 (50444112)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2023年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2022年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 酸化インジウム半導体結晶 / 熱力学解析 / 気相成長 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
酸化インジウム(In2O3)結晶は、次世代光・電子デバイス応用のための半導体材料として有望である。今回、高純度金属インジウムと水ガスの反応で一酸化インジウム(In2O)分子を選択的に生成する新規原料分子種生成制御法を提案する。生成したIn2Oガスと追加供給する水ガスとの反応により、In2O3成長を実施する。本手法は、原料分子種に塩化物を用いないため、安全かつ簡便な成長手法である。本研究では、高温・高速高純度In2O3成長を実現し、デバイス応用につなげる。さらに、In2Oガス、Ga2Oガス、及び水ガス間の反応による (GaxIn1-x)2O3混晶成長へ研究を進展させ、新たな研究分野を切り開く。
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