研究課題/領域番号 |
22K05280
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
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研究機関 | 地方独立行政法人大阪産業技術研究所 |
研究代表者 |
渡瀬 星児 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 森之宮センター, 研究部長 (60416336)
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研究分担者 |
中村 優志 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 森之宮センター, 研究員 (70783322)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2023年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2022年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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キーワード | ハイブリッド材料 / 金属錯体 / りん光薄膜 / 結晶制御 / 薄膜材料 |
研究開始時の研究の概要 |
本申請課題では、金属錯体の優れた機能をそのまま材料として活用することを可能にする金属錯体結晶膜の形成のための結晶核形成と結晶成長制御の方法を明らかにし、金属錯体結晶膜形成プロセスを開発する。金属錯体の結晶状態での優れた機能が多数見出されているが、結晶膜を形成できるものはごく一部のものに限られており、その優れた機能を十分に活用できていないものが多い。そこで、ハイブリッド化技術を結晶成長の起点となる核生成に応用することにより、湿式法による金属錯体結晶膜形成プロセスを開発するとともに、金属錯体結晶膜の優れた機能をデバイスに応用することを目指す。
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