| 研究課題/領域番号 |
22K11960
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分60040:計算機システム関連
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| 研究機関 | 東京電機大学 |
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研究代表者 |
小松 聡 東京電機大学, 工学部, 教授 (90334325)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2023年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2022年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | CMOS / MEMS / センサ / 協調設計 / センサシステム / MEMS-CMOS協調設計 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
3年間の研究機関のうち、1年目はMEMSセンサの自動設計技術に重点を置いて研究を行う。それと並行してMEMSセンサとCMOS VLSIとの協調シミュレーションを行う環境を構築することでMEMS-CMOS混載センサシステムの自動設計環境の構築を2年目までの期間で研究を実施する。3年目には、それまでに構築された自動設計環境を用いて実際にMEMS CMOS混載センサシステムを試作し、その評価を行う。
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| 研究実績の概要 |
本研究では、集積回路(Very Large Scale Integration: VLSI)とMEMS(Micro-Electro-Mechanical-Systems)センサをCMOSプロセスによる同一のチップ上に混載することで、より小型で高性能なMEMS-CMOS混載センサシステムを実現することを目指している。また、その実現のために、CMOS VLSIでの自動設計技術を応用することで、仕様から最終的なセンサシステムに至るまでの一貫した設計支援技術を構築することを研究の目的としている。
通常、MEMSセンサの設計では要求仕様（分解能、レンジ、サイズ、など）に応じて熟練のMEMS設計者が設計を行う。一方で、VLSI設計においては性能や面積などの要求仕様からそれを満たす設計を自動生成する高位合成技術が実用的になってきており、本研究ではそのアイディアをMEMSセンサ自動生成に適用する。
2022年度は、主にCMOSプロセス上にMEMSセンサを作製し、CMOS集積回路とMEMSセンサを一つのチップ上に実現するための技術の確立、および、与えられた要求仕様を満たすようなMEMSセンサの自動生成技術に重点を置いて研究を実施した。様々なCMOSプロセス技術において、最適な形状のMEMSセンサの形状を自動的に生成するシステムを構築し、計算機上でのシミュレーションと実際にMEMSデバイスとして作製・評価を行い、提案手法の妥当性を示すことができた。今後は、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調シミュレーション環境およびMEMSセンサの自己キャリブレーション技術の確立を目指す。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
CMOS集積回路とMEMSセンサを一つのチップ上に実現するための技術については、複数回の試作を通じて見通しが立ちつつある。また、MEMSセンサのレイアウトパラメータの自動生成についても、実現することができた。一方で、CMOS集積回路とMEMSセンサの協調設計について、今後、重点的に研究を進める必要がある。
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| 今後の研究の推進方策 |
2023年度は、自動生成されたMEMSセンサのレイアウトとCMOS VLSIとの協調シミュレーションを行う環境を構築し、生成されたシステムが要求仕様を満たすか否かを検証できる環境を構築することを重点的に行う。あわせて、MEMSセンサの自己キャリブレーション技術の実現に向けた検討を行う。
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