| 研究課題/領域番号 |
22K14287
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
張 旭芳 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 特任助教 (30857404)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2024年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2023年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2022年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | diamond / Al2O3 / interface / Interface |
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| 研究開始時の研究の概要 |
I will explore Al2O3/diamond interface atomic structure by XPS and ESR measurements, combining with first-principles calculation. Then, I will develop surface treatments and PDA techniques to modulate interface atomic structures, and to reduce Dit and enhance channel mobility of diamond MOSFETs.
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| 研究実績の概要 |
We focused on the Al2O3/diamond interface by modulating the pre-wet treatment times before the ALD process. We found that the sample without wet annealing treatment shows large Dit, in the order of 1012~1013 cm－2eV－1. Dit is reduced by one order of magnitude lower when wet annealing treatments were performed. Dit has no significant change with increasing wet annealing treatments. The sample with annealing for 3h shows lower Dit in the relatively deep energy position.
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