| 研究課題/領域番号 |
22K14291
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
Bermundo J.P.S 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (60782521)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2024-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2023年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2022年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 酸化物薄膜トランジスタ / 液体プロセス / プラズマプロセス / 酸素空孔 / レーザー / 薄膜欠陥 / 薄膜半導体 / 酸化物半導体 / oxide semiconductors / fully solution TFT / low temperature process / reliability / flexible devices / carrier conc. control / semiconductor laser / plasma / carrier concentration / solution process |
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| 研究開始時の研究の概要 |
Society 5.0 needs many devices requiring high-throughput sustainable production. Solution process is a cost-effective alternative to vacuum process but has worse performance/reliability. We address this issue by understanding the carrier transport mechanism and how oxygen vacancies influence it.
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| 研究成果の概要 |
私たちは、完全溶液処理によって高性能で安定したAOS TFTを製造する持続可能な方法を開拓しました。コストのかかる真空プロセスとは異なり、すべてのTFT層に持続可能な技術を用い、最大40cm^2/Vsの驚異的な移動度と安定性を実現しました。この目標を達成するには、欠陥相互作用がAOSの導電性とキャリア輸送にどのように影響するかを包括的に理解する必要がありました。プラズマと光プロセスを用いてAOS中にVo欠陥を生成し、導電性とキャリア濃度を調節し、多機能AOSを作製しました。溶液AOS特有の不純物の問題に対処し、前駆体から不純物を意図的に析出させる方法を開発し、TFT性能を向上させました。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
紫外線照射、固体レーザーアニール、プラズマプロセスなどのさまざまな活性化プロセスがAOSの特性に与える影響を慎重に研究しました。Arプラズマが効果的にVoを生成し、代替方法と比較して高性能かつ優れた安定性を持つ完全溶液プロセスTFTを作成することを実証しました。特にソリューションプロセスの文脈でのVoの科学的理解は、その安定性と性能の両方を改善するために重要です。さらに、完全溶液プロセスTFTの性能と安定性の向上は、高価な真空プロセスではなく持続可能なソリューションプロセスを使用して、すべてのTFT層を最小限の性能および安定性への影響で製造できることを示しており、社会的に重要です。
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