固体炭素源と遷移金属の触媒反応により合成された多層多結晶グラフェン光源

• 研究課題/領域番号: 22K14305
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 慶應義塾大学
• 研究代表者: 中川 鉄馬 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 訪問研究員 (20822480)
• 研究期間 (年度): 2022-04-01 – 2024-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2022年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2023年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2022年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
• キーワード: ナノカーボン / グラフェン / 光デバイス / 急速熱アニール

研究開始時の研究の概要

グラフェンを用いた超高速赤外光源は、半導体微細加工技術によりシリコン基板上に集積化できる。そのため、情報通信量の急速な増大を背景に実現が強く要望されている次世代通信や分析の基盤技術として、期待が集まっている 。申請者は、グラフェン光源の量産化及び集積化を見据え、基板上に「直接」成長できる「転写フリー」なグラフェン作製法を開発し、基板上直接成長グラフェンを用いた光源化に世界ではじめて成功した。本研究では、基板上に成膜した固体炭素源と遷移金属の触媒反応を解明し、合成したグラフェンの電気特性・発光特性を評価することにより、より高輝度に、より高速に、より安定に動作する最適なデバイスの構築を目指す。