化合物半導体ナノワイヤによる光デバイス応用

• 研究課題/領域番号: 23221007
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: マイクロ・ナノデバイス
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 福井 孝志 北海道大学, 情報科学研究科, 名誉教授 (30240641)
• 研究分担者: 冨岡 克広 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 助教 (60519411)
• 研究期間 (年度): 2011-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 212,160千円 (直接経費: 163,200千円、間接経費: 48,960千円); 2015年度: 22,100千円 (直接経費: 17,000千円、間接経費: 5,100千円); 2014年度: 26,260千円 (直接経費: 20,200千円、間接経費: 6,060千円); 2013年度: 40,560千円 (直接経費: 31,200千円、間接経費: 9,360千円); 2012年度: 56,550千円 (直接経費: 43,500千円、間接経費: 13,050千円); 2011年度: 66,690千円 (直接経費: 51,300千円、間接経費: 15,390千円)
• キーワード: 化合物半導体 / ナノワイヤ / 結晶成長 / 発光ダイオード / 太陽電池 / 半導体ナノワイヤ / LED

研究成果の概要

電電子線描画法による微細パターン形成技術と有機金属気相成長法とを組み合わせて、化合物半導体ナノワイヤの選択成長技術を確立するとともに、結晶構造相転移、グラフェン上の成長機構などを解明した。ガリウムヒ素、インジウムリン等の半導体ナノワイヤは、その結晶形態を電子顕微鏡で解析、光学特性をフォトルミネッセンスで解明すると共に、異種接合やp-n接合を作製して、発光ダイオード、太陽電池素子、さらに縦型トランジスタとしての動作原理を確認する等、次世代ナノエレクトロニクスへの応用展開の可能性を見出した。

評価記号

検証結果 (区分)

A-

研究成果

• [雑誌論文] Crystal phase transition to green emission wurtzite AlInP by crystal structure transfer (2016)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 9 号: 3 ページ: 035502-035502
  • DOI: 10.7567/apex.9.035502
  • NAID: 210000137834
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective-area growth of InAs nanowires on Ge and vertical transistor application (2015)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Takashi Fukui
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 15 号: 11 ページ: 7253-7257
  • DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02165
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surrounding-Gate Tunnel FET Using InAs/Si Heterojunction (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 雑誌名: ECS Transaction 巻: 69 ページ: 109-118
  • 査読あり
• [雑誌論文] Application of free-standing InP nanowire arrays and their optical properties for resource-saving solar cells (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Chen, E. Nakai, K. Tomioka, and T.Fukui
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 8 号: 1 ページ: 012301-012301
  • DOI: 10.7567/apex.8.012301
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core-shell nanowires by Selective-area MOVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 411 ページ: 71-75
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.10.024
  • 査読あり
• [雑誌論文] InGaAs axial-junction nanowaire-array solar cells (2015)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Chen, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T,Fukui
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 54 号: 1 ページ: 015201-015201
  • DOI: 10.7567/jjap.54.015201
  • 査読あり
• [雑誌論文] Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 雑誌名: Journal of Physs D: Applied Physics 巻: 47 号: 39 ページ: 394001-394001
  • DOI: 10.1088/0022-3727/47/39/394001
  • NAID: 120005512025
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vertical Tunnel FETs Using III-V Nanowire/Si Heterojunctions (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 雑誌名: ECS Transaction 巻: 61 ページ: 81-89
  • 査読あり
• [雑誌論文] III-V族化合物半導体ナノワイヤ太陽電池 (2014)
  • 著者名/発表者名: 福井孝志、吉村正利、中井栄治、冨岡克広
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 巻: 41 ページ: 29-34
  • 査読あり
• [雑誌論文] Current increment of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 104 号: 7
  • DOI: 10.1063/1.4865921
  • 査読あり
• [雑誌論文] Indium Phoshide Core-Shell Nanowire Array Solar Cells with Lattice-Mismatched Window Layer (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 103 号: 24
  • DOI: 10.1063/1.4847355
  • 査読あり
• [雑誌論文] van der Waals Epitaxial Double Heterostructure: InAs/Single-Layer Graphene/InAs (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. J. Hong, J.W.Yang, W. H. Lee, R. S. Ruoff, K. S. Kim, T. Fukui
  • 雑誌名: Advanced Materials 巻: 25 号: 47 ページ: 6847-6853
  • DOI: 10.1002/adma.201302312
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sub 60 mV/decade Switch Using an InAs Nanowire-Si Heterojunction and Turn-on Voltage Shift with a Pulsed Doping Technique (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 13 号: 12 ページ: 5822-5826
  • DOI: 10.1021/nl402447h
  • 査読あり
• [雑誌論文] Indium Phosphide Core-Shell Nanowire Array Solar Cells with Lattice-Mismatched Window Layer (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 6 号: 5 ページ: 052301-052301
  • DOI: 10.7567/apex.6.052301
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaAs/InGaP Core-Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, et al.
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 5R ページ: 055002-055002
  • DOI: 10.7567/jjap.52.055002
  • 査読あり
• [雑誌論文] Indium-Rich InGaP Nanowires Formed on InP(111)A Substrates by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: Fumiya Ishizaka, Keitaro Ikejiri, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 4S ページ: 04CH05-04CH05
  • DOI: 10.7567/jjap.52.04ch05
  • 査読あり
• [雑誌論文] 半導体ナノワイヤデバイスの新展開-縦型トランジスタ応用 (2013)
  • 著者名/発表者名: 冨岡 克広、福井 孝志
  • 雑誌名: 電子情報通信学会論文誌C 巻: J96-C ページ: 221-230
  • NAID: 110009657215
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bimolecular interlayer scattering of electrons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Masumoto, K. Goto, S. Tomimoto, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui
  • 雑誌名: JOURNAL OF LUMINESCENCE 巻: 133 ページ: 135-137
  • DOI: 10.1016/j.jlumin.2011.09.036
  • 査読あり
• [雑誌論文] A III-V nanowire channel on Si for high-performance vertical transistors (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui
  • 雑誌名: Nature 巻: 488 号: 7410 ページ: 189-192
  • DOI: 10.1038/nature11293
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bidirectional Growth of Indium Phosphide Nanowires (2012)
  • 著者名/発表者名: Keitaro Ikejiri, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 12 号: 9 ページ: 4770-4774
  • DOI: 10.1021/nl302202r
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaAs nanowire growth on polycrystalline silicon thin films using selective-area MOVPE (2012)
  • 著者名/発表者名: Keitaro Ikejiri, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 24 号: 11 ページ: 115304-115304
  • DOI: 10.1088/0957-4484/24/11/115304
  • 査読あり
• [雑誌論文] van der Waals Epitaxy of InAs Nanowires Vertically Aligned on Single-Layer Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: Young Joon Hong, Wi Hyoung Lee, Yaping Wu, Rodney S.Ruoff, Takashi Fukui
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 12(in press) 号: 3 ページ: 1431-1436
  • DOI: 10.1021/nl204109t
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vibrational modes of GaAs hexagonal nanopillar arrays studied with ultrashort optical pulses (2012)
  • 著者名/発表者名: Hirotaka Sakuma, Motonobu Tomoda, Paul H.Otsuka, Osamu Matsuda, Oliver B.Wright, Takashi Fukui, Katsuhiro Tomioka, Istvan A.Veres
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS LETTERS 巻: 100 号: 13
  • DOI: 10.1063/1.3696380
  • 査読あり
• [雑誌論文] Position-Controlled III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, M. Yoshimura, et al.
  • 雑誌名: AMBIO 巻: 41 (Supplement 2) 号: S2 ページ: 119-124
  • DOI: 10.1007/s13280-012-0266-5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Energy state of InGaAs quantum dots on SiO2-patterned vicinal substrate (2012)
  • 著者名/発表者名: Hyo Jin Kim, Junichi Mothohisa and Takashi Fukui
  • 雑誌名: Nanoscale Research Letters 巻: 7 号: 1 ページ: 1-5
  • DOI: 10.1186/1556-276x-7-104
  • NAID: 120003994107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Longitudinal ana transverse exciton-spin relaxation in a single InAsP quantum dot embedded inside a standing InP nanowire using photoluminescence spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: 笹倉弘理
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 85 号: 7
  • DOI: 10.1103/physrevb.85.075324
  • 査読あり
• [雑誌論文] 半導体ナノワイヤデバイス応用の新展開 (2012)
  • 著者名/発表者名: 冨岡 克広、福井 孝志
  • 雑誌名: 応用物理 巻: 81 ページ: 59-64
• [雑誌論文] Growth and Characterization of a GaAs Quantum Well Buried in GaAsP/GaAs Vertical Heterostructure Nanowires by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Fujisawa, T. Sato, S. Hara, J. Motohisa, K. Hiruma, and T. Fukui
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50 号: 4S ページ: 04DH03-04DH03
  • DOI: 10.1143/jjap.50.04dh03
  • NAID: 210000070340
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polarized photoluminescence from single wurtzite InP/InAs/InP core-multishell nanowires (2011)
  • 著者名/発表者名: Masumoto, Y. Hirata, Y. Mohan, P. Motohisa, J. Fukui, T
  • 雑誌名: APPLIED PHYSICS LETTERS 巻: 98 号: 21
  • DOI: 10.1063/1.3592855
  • NAID: 120007130884
  • 査読あり
• [雑誌論文] Controlled van der Waals Heteroepitaxy of InAs Nanowires on Carbon Honeycomb Lattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Young Joon Hong, Takashi Fukui
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 5 号: 9 ページ: 7576-7584
  • DOI: 10.1021/nn2025786
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ferromagnetic MnAs Nanocluster Composites Position-Controlled on GaAs (111)B Substrates toward Lateral Magnetoresistive Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Komagata, S. Hara, S. Ito, and T. Fukui
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 50 号: 6S ページ: 06GH01-06GH01
  • DOI: 10.1143/jjap.50.06gh01
  • NAID: 210000070719
  • 査読あり
• [雑誌論文] III-V Nanowires on Si Substrate: Selective-Area Growth and Device Applications (Invited) (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, T. Tanaka, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui
  • 雑誌名: IEEE J. Select. Topics Quan. Electron. 巻: 17 号: 4 ページ: 1112-1129
  • DOI: 10.1109/jstqe.2010.2068280
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective-area growth of III-V nanowires and their applications (review paper) (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, K. Ikejiri, T. Tanaka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui
  • 雑誌名: J. Mater. Res. 巻: 26 号: 17 ページ: 2127-2141
  • DOI: 10.1557/jmr.2011.103
  • 査読あり
• [雑誌論文] Zinc Blende and Wurtzite Crystal Phase Mixing and Transition in Indium Phosphide Nanowires (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ikejiri, Y. Kitauchi, K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui
  • 雑誌名: Nano Lett. 巻: 11 号: 10 ページ: 4314-4318
  • DOI: 10.1021/nl202365q
  • 査読あり
• [学会発表] Semiconductor nanowire array grown by selective area epitaxy and their applications (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, F. Ishizaka and K. Tomioka
  • 学会等名: The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies 2015
  • 発表場所: Honolulu Convention Center, Hawaii, USA
  • 年月日: 2015-12-15
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Structural and Optical Properties of Wurtzite AlInP Grown on Wurtzite InP Nanowires (2015)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka1, Y. Hiraya, K. Tomioka, T. Fukui
  • 学会等名: 2015 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Sheraton Boston, Massachusetts, USA
  • 年月日: 2015-11-29
  • 国際学会
• [学会発表] Steep Turn-On Property of Vertical Tunnel FET Using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, T. Fukui, J. Motohisa
  • 学会等名: 2015 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Sheraton Boston, Massachusetts, USA
  • 年月日: 2015-11-29
  • 国際学会
• [学会発表] Vertical Tunnel FETs Using III-V Nanowire/Si Heterojunctions (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: 228th ECS Meeting
  • 発表場所: Phoenix Convention Center, Phoenix, Arizona, USA
  • 年月日: 2015-10-11
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Recent progress in vertical TFET using III-V/Si heterojunction (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: Steep Transistors Workshop
  • 発表場所: University of Notre Dame, Notre Dame, USA
  • 年月日: 2015-10-05
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo Japan
  • 年月日: 2015-09-27
  • 国際学会
• [学会発表] Growth and Characterization of Wurtzite InP/AlInP Core-Shell Nanowires (2015)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka1, Y. Hiraya, K. Tomioka, T. Fukui
  • 学会等名: 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo Japan
  • 年月日: 2015-09-27
  • 国際学会
• [学会発表] Vertical III-V nanowire transistors for future low-power switches (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: 12th Sweden - Japan QNANO Workshop,
  • 発表場所: Hjortviken, Hindas, Sweden
  • 年月日: 2015-09-24
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires Grown by Selective Area MOVPE and Their Device Applications (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, F. Ishizaka and K. Tomioka
  • 学会等名: 5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 発表場所: Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
  • 年月日: 2015-09-06
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Selective-area growth of III-V nanowires on Si and their applications (2015)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 8th Nanowire Growth Workshop/Nanowire 2014
  • 発表場所: Strijp-S Eindhoven, Eindhoven, Germany
  • 年月日: 2015-08-25 – 2015-08-29
  • 招待講演
• [学会発表] Heterogeneous integration of vertical III-V nanowires on Si and Ge and their applications (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: The 20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy and The 17th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: Big Sky resort Hotel, Big Sky, Montana, USA
  • 年月日: 2015-08-02
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] III-V nanowires on patterned Si substrates and their applications (2015)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 10th International Workshop on Epitaxial Semiconductor on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS 2014)
  • 発表場所: Trunseo International Academy, Traunkirchen，Austria
  • 年月日: 2015-07-20 – 2015-07-23
  • 招待講演
• [学会発表] Vertically Aligned Semiconductor Nanowire Array and Their Applications (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, F. Ishizaka and K. Tomioka
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2015
  • 発表場所: University of California Santa Barbara, Santa Barbara, USA
  • 年月日: 2015-06-28
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Growth of AlGaP and AlInP on GaN Substrates Toward Transferring Wurtzite Structure (2015)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2015
  • 発表場所: University of California Santa Barbara, USA
  • 年月日: 2015-06-28
  • 国際学会
• [学会発表] III-V nanowire channel on Si: From high-performance Vertical FET to steep-slope device (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: 2015 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2015 VLSI-TSA)
  • 発表場所: Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan
  • 年月日: 2015-04-27
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Free-Standing InP Nanowire Array and Their Optical Properties toward Resource Saving Solar Cells (2015)
  • 著者名/発表者名: MuYi Chen, Eiji Nakai, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 学会等名: 2015 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: Moscone West, San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2015-04-06
  • 国際学会
• [学会発表] Selective-Area Growth of Vertical InAs Nanowires on Ge(111) (2015)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Takashi Fukui
  • 学会等名: 2015 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: Moscone West, San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2015-04-06
  • 国際学会
• [学会発表] III-V semiconductor hetero-structure nanowires and their photonic applications (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, E. Nakai, F. Ishizaka and T. Fukui
  • 学会等名: WE Heraeus Seminar on III-V Nanowire Photonics
  • 発表場所: Physikzentrum Bad Honnef, Bad Honnef , Germany
  • 年月日: 2015-03-22 – 2015-03-25
  • 招待講演
• [学会発表] Vertically aligned semiconductor nanowires and their applications (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, E. Nakai, F. Ishizaka and K. Tomioka
  • 学会等名: 42nd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
  • 発表場所: Snowbird Resort, Utah, USA
  • 年月日: 2015-01-18 – 2015-01-22
  • 招待講演
• [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2014)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui1, Eiji Nakai1, MuYi Chen1 and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: Topical Meetings on Optical Nanostructures and Advanced Materials for Photovoltaics (PV)
  • 発表場所: Australian National University, Canberra, Australia
  • 年月日: 2014-12-02 – 2014-12-04
  • 招待講演
• [学会発表] Selective-Area Growth of III-V Nanowires and Their Devices (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Muyi Chen, Takashi Fukui
  • 学会等名: MRS fall meeting 2014
  • 発表場所: Hynes Convention Center, Boston, USA
  • 年月日: 2014-11-30 – 2014-12-05
  • 招待講演
• [学会発表] III-V Semiconductor nanowires and their photovoltaic applications (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, E. Nakai, F. Ishizaka and K. Tomioka
  • 学会等名: 3rd biennial Conference of the Combined Australian Materials Societies
  • 発表場所: University of Australia, Sydoney, Australia
  • 年月日: 2014-11-26 – 2014-11-28
  • 招待講演
• [学会発表] Integration of Vertical InAs Nanowires on Ge(111) by Selective-Area MOVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Takashi Fukui
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
  • 発表場所: Tsukuba Conference Center, Tsukuba
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] III-V nanowire channel and III-V/Si heterojunction for low-power switches (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: IEEE EUROSOI-ULIS 2015
  • 発表場所: Aula Prodi Piazza San Gionvanni in Monte, Bologna, Italy
  • 年月日: 2014-07-26 – 2014-07-28
  • 招待講演
• [学会発表] Selective-area growth of vertical InAs nanowires on Ge(111) (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Takashi Fukui
  • 学会等名: 17thInternational Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVII)
  • 発表場所: EPFL, Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-07-13 – 2014-07-18
  • 招待講演
• [学会発表] InGaAs axial junction nanowire array solar cells with Sn-doped contact layer (2014)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: EPFL, Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-07-13 – 2014-07-18
• [学会発表] Selective-area growth of wurtzite InP/AlGaP core-shell nanowires (2014)
  • 著者名/発表者名: J. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: 17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: EPFL, Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-07-13 – 2014-07-18
• [学会発表] Selective-area growth of InAs nanowire inside Si(100) and SOI substrates toward tunnel FET applications (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 17th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • 発表場所: EPFL, Lausanne, Switzerland
  • 年月日: 2014-07-13 – 2014-07-18
• [学会発表] Vertical Tunnel FETs Using III-V Nanowire/Si Heterojunctions (2014)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 225th ECS meeting
  • 発表場所: Hilton Bonnet Creek、Orland, USA
  • 年月日: 2014-05-12 – 2014-05-13
  • 招待講演
• [学会発表] Wurtzite InP/AlGaP Core-Shell Nanowires toward Direct Band Gap Transition (2014)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: MRS Spring Meeting 2014
  • 発表場所: Moscone West, San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2014-04-21 – 2014-04-25
• [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si: From high-performance vertical FET to steep-slope switch (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, and Takashi Fukui
  • 学会等名: 2013 International Electron Devices Meeting
  • 発表場所: Washington Hilton, Washington DC, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Demonstration of P-Channel Tunnel FET Using Zn-Doped InAs Nanowire/Si Heterojunction and Doping Effect (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai, and Takashi Fukui
  • 学会等名: MRS fall meeting 2013
  • 発表場所: Hynes Convention Center, Boston, USA
• [学会発表] III-V/Si Heterojunctions for Steep Subthreshold-Slope Transistor (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: Third Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems
  • 発表場所: University of California Berkeley Banato Hall, Berkeley, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Vertical III-V Nanowire-Channel on Si (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 224th ECS meeting
  • 発表場所: Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] InGaAs nanowire FETs on Si and steep subthreshold-slope transistors (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013)
  • 発表場所: Hakodate Kokusai Hotal, Hakodate, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Gate-first process and EOT-scaling of III-V nanowire-based vertical transistors on Si (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 71st Device Research Conference (DRC 2013)
  • 発表場所: Notre Dame University, Notre Dome, USA
• [学会発表] Zn-compensating effect of channel of InGaAs nanowire/Si heterojunction tunnel FET and steep-turn on switching property (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
  • 学会等名: E-MRS 2013 Spring Meeting
  • 発表場所: Congress Center, Strasbourg, France
• [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si and their applications (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
  • 発表場所: Kobe Convantion Center, Kobe, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Highly Conductive InAs Nanowire Vertical Transistors on Si (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
  • 学会等名: MRS spring meeting 2013
  • 発表場所: Moscone West Convention Center, San Francisco, USA
• [学会発表] ITO/p-InP Hetero-Junction NW-Array Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 2013 Europe Material Research Society (E-MRS) Spring Meeting
  • 発表場所: Cogress Center, Strasbourg, France
• [学会発表] InGaAs axial junction nanowire array solar cells with AlInP passivation layer (2013)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 5th International Conference on One-dimensional Nanomaterials (ICON2013)
  • 発表場所: Imperial Palase Hotel, Annecy, France
• [学会発表] Fabrication and Characterization of InGaAs Axial Junction Nanowire Array Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2013)
  • 発表場所: Roiton Sapporo, Sapporo, Japan
• [学会発表] Wurtzite InP/GaP core-shell nanowires toward direct band gap transition (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 5th International Conference on One-dimensional Nanomaterials (ICON2013)
  • 発表場所: Imperial Palase Hotel, Annecy, France
• [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: 2013 Conference on Lasers and Electro-Optics (CREO:2013)
  • 発表場所: San Jose Convention Center, San Jose , USA,
  • 招待講演
• [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: Doshisha University, Kyoto, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: IUMRS ICAM
  • 発表場所: Qingdao International Convention Center, Qingdao, China
  • 招待講演
• [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: TMU-IAS Focus Workshop
  • 発表場所: Technische Universitat Munchen, Munich, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] III-V semiconductor nanowires and their photovoltaic device applications (2013)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai Fumiya Ishizaka and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: 12th International Conference on Atomically Controlled Surface, Interface and Nanostructures(ACSIN-12)
  • 発表場所: Tsukuba Convention Center, Tsukuba, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Selective area growth of III-V semiconductor nanowires and their photovoltaic and electron device applications (2013)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai Fumiya Ishizaka and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: Nanowires 2013
  • 発表場所: Weizman Institute of Science, Rehovot, Israel
  • 招待講演
• [学会発表] ITO/p-InP Heterojunction NW-Array Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: TUM-IAS Focus Workshop
  • 発表場所: Technische Universitat Munchen, Munich, Germany,
• [学会発表] III-V Nanowire/Si Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: the 32st Electronic Materials Symposium (EMS-32)
  • 発表場所: Laforet Biwako, Shiga, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Fabrication of ITO/p-InP hetero-junction nanowire-array solar cells (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 32st Electronic Materials Symposium (EMS-32)
  • 発表場所: Laforet Biwko, Shiga, Japan
• [学会発表] Growth of Wurtzite InP/GaP Core-shell Nanowires by Selective-area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 32st Electronic Materials Symposium (EMS-32)
  • 発表場所: Laforet, Biwako, Shiga, Japan
• [学会発表] III-V nanowire channels on Si; vertical FET applications (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 2013 Silicon nanoelectronics Workshop (SNW 2013)
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, KYoto, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] High-performance III-V nanowire transistors on silicon (2013)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: The Sweden-Japan Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics(QNANO2013)
  • 発表場所: 東京大学（東京）
  • 招待講演
• [学会発表] Realization of steep-slope behavior in tunnel FETs using InAs nanowire/Si heterojunction (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: MRS spring meeting
  • 発表場所: San Fransisco's Moscone West Convention Hall(USA)
• [学会発表] Bi-directional growth of Zn-doped InP nanowires by selective-area MOVPE (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Fransisco's Moscone West Convention Hall(USA)
• [学会発表] GaAs core-shell nanowire array solar cells on masked GaAs (111)B substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: 9th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS)
  • 発表場所: Eindhoven University of Technology(Netherlands)
• [学会発表] Selective-area growth of GaAs-InGaP core-multishell nanowires on Si substrate toward solar water splitting devices (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui
  • 学会等名: The 16th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
  • 発表場所: Paradise Hotel Busan(KOREA)
• [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2012)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: The 16th International Conference on Metal- Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI),
  • 発表場所: Paradise Hotel Busan(KOREA)
  • 招待講演
• [学会発表] Steep-slope tunnel field-effect transistors using III-V nanowire/Si heterojunction (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: IEEE VLSI symposia
  • 発表場所: Hilton Hawaian Village(USA)
  • 招待講演
• [学会発表] InP/AlInP core-multishell nanowire array solar cells (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 39th Internal Symposium on Compound Semiconductor
  • 発表場所: University of Calfornia Santa Barbara(USA)
• [学会発表] First demonstration of tunnel field-effect transistor using InGaAs/Si junction (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
  • 発表場所: 京都国際会議場（京都市）
• [学会発表] InGaP Nanowires grown by Selective-Area MOVPE (2012)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012),
  • 発表場所: 京都国際会議場（京都市）
• [学会発表] Bi-directional growth of InP nanowires by selective-area MOVPE (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Ikejiri, F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: the 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)
  • 発表場所: The University of Queensland(Australia)
• [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2012)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Keitaro Ikejiri, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: the 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)
  • 発表場所: The University of Queensland(Australia)
  • 招待講演
• [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si and their applications (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, T. Fukui
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
  • 発表場所: 神戸メリケンパークオリエンタルホテル（神戸市）
  • 招待講演
• [学会発表] Flexible InP nanowire array obtained by epitaxial growth and peeling off process for solar cell application (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Endo, E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
  • 発表場所: 神戸メリケンパークオリエンタルホテル（神戸市
• [学会発表] First demonstration of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui
  • 学会等名: MRS 2012 Fall meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center Boston(USA)
• [学会発表] GaAs/InGaP core-multishell nanowire array solar cells by selective-area metal organic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T.Fukui
  • 学会等名: MRS 2012 Fall meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center Boston(USA)
• [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells (2012)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Takahito Endo, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: MRS 2012 Fall meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center Boston(USA)
  • 招待講演
• [学会発表] III-V semiconductor nanowires and their electronics and photonic device applications (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, M. Yoshimura, E. Nakai and K. Tomioka
  • 学会等名: Japan-Sweden QNANO Workshop
  • 発表場所: Clarion Hotel Visby (Sweden)
  • 招待講演
• [学会発表] Semiconductor nanowires and their photovoltaic applications (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, M. Yoshimura, and K. Tomioka
  • 学会等名: JSPS-RSAS Joint Conference on Capturing the Sun
  • 発表場所: Royal Swedish Academy of Science, Stockholm(Sweden)
  • 招待講演
• [学会発表] Compound-Semiconductor Nanowire Solar Cells (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, M. Yoshimura, E. Nakai and K. Tomioka
  • 学会等名: 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
  • 発表場所: 長良川国際会議場（岐阜市）
  • 招待講演
• [学会発表] III-V compound semiconductor nanowires and their electrical and optical applications (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, M. Yoshimura, E. Nakai and K. Tomioka
  • 学会等名: The 7th International Conference on Advanced Materials and Devices
  • 発表場所: Ramada Plaza JeJu Hotel(Korea)
  • 招待講演
• [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires on Si: Selective Area MOVPE and Their Device Applications (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shijiroh Hara, Kenji Hiruma, and Takashi Fukui
  • 学会等名: MRS spring meeting
  • 発表場所: San Fransisco's Moscone West Convention Hall(USA)
  • 招待講演
• [学会発表] Fabrication of III-V Nanowire-based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui
  • 学会等名: the 220th Electrochemical Society Meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center, Boston(USA)
  • 招待講演
• [学会発表] Controlled van der Waals heteroepitaxy of InAs nanowires on carbon honeycomb lattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. J. Hong and T. Fukui
  • 学会等名: MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center, Boston(USA)
• [学会発表] Heteroepitaxy of vertical InAs nanowires on thin graphitic films (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. J. Hong and T. Fukui
  • 学会等名: the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター（名古屋市）
• [学会発表] Fabrication of InP Nanowire Array Solar Cells using Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, K. Tomioka, E. Nakai, and T. Fukui
  • 学会等名: JSPS-RSAS Joint Conference “Capturing the Sun”
  • 発表場所: Royal Swedish Academy of Science, Stockholm(Sweden)
• [学会発表] Characterization of InP nanowire array solar cells using selective-area metal-organic vapor phase epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
  • 学会等名: MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center, Boston(USA)
• [学会発表] Fabrication and Optical Property of GaAs Nanowire Array for Solar Cell Applications (2011)
  • 著者名/発表者名: E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: the 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: ANAホテル（京都市）
• [学会発表] Tunnel field-effect transistor using InAs nanowire/Si heterojunction (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: The 15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
  • 発表場所: Ramada Plaza JeJu Hotel(Korea)
• [学会発表] Integration of InGaAs Nanowires-based vertical surrounding-gate FETs on Si (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, and Takashi Fukui
  • 学会等名: The 15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
  • 発表場所: Ramada Plaza JeJu Hotel(Korea)
• [学会発表] Integration of InGaAs nanowire vertical surrounding-gate transistor on Si (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Takashi Fukui
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター（名古屋市）
• [学会発表] Tunnel Field-Effect Transistors using InAs Nanowire/Si Heterojunction (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター（名古屋市）
• [学会発表] Fabrication of Vertical In0.7Ga0.3As Nanowire Surrouding-Gate Transistors with High-k Gate Dielectric on Si Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: ANAホテル（京都市）
• [学会発表] Integration of InGaAs/InP/InAlAs Core-Multishell Nanowire-Based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
  • 学会等名: MRS 2011 Fall meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center, Boston(USA)
• [学会発表] Vertical In0.7Ga0.3As Nanowire Surrounding-Gate Transistors with High-k Gate Dielectric on Si Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, M, Yoshimura, and T. Fukui
  • 学会等名: 2011 IEEE International Electron Devices Meeting
  • 発表場所: Hilton Washington（USA）
• [学会発表] Fabrication and Characterization of GaAs Nanowires on Poly-Si by Selective-Area MOVPE (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ikejiri, K. Tomioka, S. Imai, and T. Fukui
  • 学会等名: The 38th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Maritim pro Arte Hotel, Berlin(Germany)
• [学会発表] Growth of GaAs Nanowires on Poly-Si by Selective-Area MOVPE (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ikejiri, K. Tomioka, S. Imai, and T. Fukui
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター（名古屋市）
• [学会発表] Mechanism on structural transition of InP nanowires by selective-area MOVPE (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Ikejiri, Y. Kitauchi, K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui
  • 学会等名: 2011 Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Haynes Convention Center, Boston(USA)
• [図書] Handbook of Crystal Growth, Vol I Chapter 18 "Growth of Semiconductor Nanocrystals" (2015)
  • 著者名/発表者名: Tomioka K, Fukui T.
  • 総ページ数: 46
  • 出版者: Elsevier
• [図書] ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開 (2013)
  • 著者名/発表者名: 福井孝志
  • 総ページ数: 241
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] Semiconductor Nanowire and Their Optical Applications, edited by G-C. Yi (2012)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 総ページ数: 36
  • 出版者: Wiley
• [備考] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターホームページ
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp
• [備考] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターホームページ
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/index.html
• [備考] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターホームページ
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/index.html
• [産業財産権] トンネル電界効果トランジスタ (2015)
  • 発明者名: 冨岡 克広、福井 孝志
  • 権利者名: 冨岡 克広、福井 孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2015-193196
  • 出願年月日: 2015-09-30
• [産業財産権] トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 (2014)
  • 発明者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 権利者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2014-08-12
  • 外国
• [産業財産権] トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 (2014)
  • 発明者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 権利者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2014-08-13
  • 外国
• [産業財産権] III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子 (2014)
  • 発明者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 権利者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2014-10-31
  • 外国
• [産業財産権] III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子 (2014)
  • 発明者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 権利者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2014-10-31
  • 外国
• [産業財産権] 発光素子およびその製造方法 (2014)
  • 発明者名: 4. 福井孝志、平谷佳大
  • 権利者名: 4. 福井孝志、平谷佳大
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2014-027399
  • 出願年月日: 2014-02-17
• [産業財産権] 発光素子およびその製造方法 (2013)
  • 発明者名: 1. 福井孝志、石坂文哉、冨岡克広
  • 権利者名: 1. 福井孝志、石坂文哉、冨岡克広
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-138894
  • 出願年月日: 2013-07-02
• [産業財産権] トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 (2013)
  • 発明者名: 2. 冨岡 克広、福井 孝志
  • 権利者名: 2. 冨岡 克広、福井 孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-168048
  • 出願年月日: 2013-08-13
• [産業財産権] III-V族化合物ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子 (2013)
  • 発明者名: 2. 冨岡 克広、福井 孝志
  • 権利者名: 2. 冨岡 克広、福井 孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-226675
  • 出願年月日: 2013-10-13