| 研究課題/領域番号 |
23226009
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
田部 道晴 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
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| 研究分担者 |
品田 賢宏 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (30329099)
小野 行徳 富山大学, 大学院理工学研究科, 教授 (80374073)
水田 博 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (90372458)
Moraru Daniel 静岡大学, 工学部, 准教授 (60549715)
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| 連携研究者 |
藤原 聡 NTT, 物性科学基礎研究所, 上席特別研究員 (70393759)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
209,430千円 (直接経費: 161,100千円、間接経費: 48,330千円)
2015年度: 23,400千円 (直接経費: 18,000千円、間接経費: 5,400千円)
2014年度: 23,660千円 (直接経費: 18,200千円、間接経費: 5,460千円)
2013年度: 25,740千円 (直接経費: 19,800千円、間接経費: 5,940千円)
2012年度: 63,050千円 (直接経費: 48,500千円、間接経費: 14,550千円)
2011年度: 73,580千円 (直接経費: 56,600千円、間接経費: 16,980千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / シングルドーパント / シリコン / 量子ドット / ドーパント原子 / ナノデバイス / トランジスタ / 接合ダイオード |
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| 研究成果の概要 |
これまでシリコンテクノロジーは、意図的に導入する多数の不純物原子（ドーパント原子）を統計平均的に利用することによって発展してきた。本研究は、デバイスの極限的微細化に向けてこの概念を一新し、個々のドーパント原子を利用したデバイスを開発しようとするものである。実用に向けて技術を確立するために、数個のドーパント原子集団を一つの量子ドットとして利用する手法を提案・実証するとともに極低温に限られていたデバイス動作温度を改善して室温動作に至った。ドーパント原子デバイスの研究はこれらの成果によって大きく踏み出すことができた。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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