| 研究課題/領域番号 |
23226014
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
松本 要 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (10324659)
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| 研究分担者 |
吉田 隆 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20314049)
淡路 智 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (10222770)
西﨑 照和 (西嵜 照和) 九州産業大学, 工学部, 准教授 (90261510)
メレ パオロ (MELE Paolo / Mele Paolo) 室蘭工業大学, 工学研究科, 准教授 (70608504)
堀出 朋哉 九州工業大学, 工学研究院, 助教 (70638858)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
207,480千円 (直接経費: 159,600千円、間接経費: 47,880千円)
2015年度: 30,420千円 (直接経費: 23,400千円、間接経費: 7,020千円)
2014年度: 30,680千円 (直接経費: 23,600千円、間接経費: 7,080千円)
2013年度: 42,380千円 (直接経費: 32,600千円、間接経費: 9,780千円)
2012年度: 51,350千円 (直接経費: 39,500千円、間接経費: 11,850千円)
2011年度: 52,650千円 (直接経費: 40,500千円、間接経費: 12,150千円)
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| キーワード | 薄膜 / ナノ組織制御 / 超伝導 / 磁束ピン止め / シミュレーション / 結晶構造・組織制御 |
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| 研究成果の概要 |
TDGL方程式に基づく臨界電流密度Jcのシミュレーションや独自のピン止めモデリングによって人工ピンの最適設計を行った．ナノ複合・ヘテロエピ薄膜作製が容易なPLD法を用いて基板上にREBa2Cu3Ox超伝導薄膜を形成した．ピン止め点となる自己組織化ナノロッドやナノドットのサイズや空間分布を制御するために，混合ターゲット法やSurface-modifiedターゲット法，LTG法等を用いた．その結果，巨視的ピン止め力として32 GN/m3（77K），1800 GN/m3（4.2K）を得た．これは世界記録となる値である．また，ゼロ磁場Jcは理論値の30％程度と極めて高い値になることも示した．
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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