| 研究課題/領域番号 |
23245043
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
今中 信人 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30192503)
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| 研究分担者 |
田村 真治 大阪大学, 大学院工学研究科, 講師 (80379122)
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| 研究期間 (年度) |
2011-11-18 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
23,530千円 (直接経費: 18,100千円、間接経費: 5,430千円)
2013年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2012年度: 15,470千円 (直接経費: 11,900千円、間接経費: 3,570千円)
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| キーワード | 固体電解質 / 多価イオン / 3価 / 4価 / ナシコン型構造 / 二次元層状構造 / ガリウム / ゲルマニウム / 高価数カチオン / 3価イオン / 4価イオン / ビスマス / ハフニウム |
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| 研究概要 |
本研究では、新規な3価および4価イオン伝導性固体の創製を目的とし、3価イオン伝導体としてBi3+イオン伝導体を、4価イオン伝導体として、Hf4+イオン伝導体およびTe4+イオン伝導体を開発し、そのイオン伝導性を評価した。また、ナシコン型構造を有する一連のMNb(PO4)3（M = Zr, Hf, Ti, Ge）に関して、そのイオン伝導性の比較および考察を行なった。
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