| 研究課題/領域番号 |
23246002
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 筑波大学 (2012-2013)
東北大学 (2011) |
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研究代表者 |
大野 裕三 筑波大学, 数理物質系, 教授 (00282012)
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| 研究分担者 |
山ノ内 路彦 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (40590899)
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| 研究期間 (年度) |
2011-11-18 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
2013年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2012年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
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| キーワード | スピントロニクス / GaAs / スピン注入 / Hanle効果 / 顕微Kerr測定 / 顕微カー効果測定 / トンネル磁気接合 / 顕微カー回転測定 / スピン流 / スピン軌道相互作用 / トンネル接合 / トンネル磁気抵抗 / 電流誘起スピン分極 |
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| 研究概要 |
本研究では，垂直磁化を有するCoFeBを強磁性層とするCoFeB/MgO/GaAs磁気トンネル接合を有する３端子阻止を作製し，磁気輸送特性測定，および顕微カー回転測定を行い，半導体GaAsにおけるスピン蓄積とスピン検出を実施した．磁気輸送測定では，スピン注入・蓄積を示唆するHanle効果を確認した．一方で，顕微カー回転測定においては±2Tの強い面内磁界を印加してもカー回転信号が残った．以上の結果から，明瞭なスピン注入・蓄積の光検出はできなかった．本研究を通じて，MgOとGaAs界面が面直スピン注入において重要であることがわかった．
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