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超高輝度・高偏極度電子源の高効率化

研究課題

研究課題/領域番号 23246003
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関公益財団法人名古屋産業科学研究所 (2012-2013)
名古屋大学 (2011)

研究代表者

竹田 美和  公益財団法人名古屋産業科学研究所, その他部局等, 研究員 (20111932)

研究分担者 金 秀光  名古屋大学, 学内共同利用施設等, 特任助教 (20594055)
田渕 雅夫  名古屋大学, 学内共同利用施設等, 特任教授 (90222124)
渕 真悟  青山学院大学, 理工学部, 准教授 (60432241)
宇治原 徹  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60312641)
研究期間 (年度) 2011-04-01 – 2014-03-31
研究課題ステータス 完了 (2013年度)
配分額 *注記
37,180千円 (直接経費: 28,600千円、間接経費: 8,580千円)
2013年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
2012年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
2011年度: 20,280千円 (直接経費: 15,600千円、間接経費: 4,680千円)
キーワード結晶成長 / スピントロニクス / 表面・界面物性 / 量子エレクトロニクス / 量子ビーム
研究概要

精度の高い超音波式流量制御系により「歪み補償超格子構造」を最大90ペア―まで成長できた(従来は12ペアーが限界)。そのため、当初予定していた「張り合わせ」という困難なプロセスは不必要となり、取り止めた。また、格子整合系で透明な基板としてZnSeが利用可能となり、この基板上への成長に成功しており、ここでも張り合わせは不必要となった。ファイバー付き半導体レーザーによる励起により、励起系が小型化できた。また、状態密度の平坦部(770~780nm)で偏極度が最大となり、量子効率も4倍の増加を得た。

報告書

(4件)
  • 2013 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2012 実績報告書
  • 2011 実績報告書
  • 研究成果

    (60件)

すべて 2014 2013 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (19件) (うち査読あり 19件) 学会発表 (34件) (うち招待講演 5件) 図書 (2件) 備考 (1件) 産業財産権 (4件)

  • [雑誌論文] Nano-scale characterization of GaAsP/GaAs strained superlattice structure by nano-beam electron diffraction2014

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Hirotaka Nakahara, Koh Saitoh, Nobuo Tanaka, and Yoshikazu Takeda
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: VOL. 104 号: 11 ページ: 113106-113106

    • DOI

      10.1063/1.4869030

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 115

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nano-scale characterization of GaAsP/GaAs strained superlattice structure by nano-beam electron diffraction2014

    • 著者名/発表者名
      X.G. Jin, H. Nakahara, K. Saito, N. Tanaka, Y. Takeda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of In_xGa_<1-x>N single quantum well2013

    • 著者名/発表者名
      G.X.Ju, S.Fuchi, M.Tabuchi, and Y.Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Vol. 370 ページ: 36-41

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-performance spin-polarized photocathodes using a GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice2013

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, A.Mano, F.Ichihashi, N.Yamamoto, and Y.Takeda
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.6 号: 1 ページ: 125801-125801

    • DOI

      10.7567/apex.6.015801

    • NAID

      10031140457

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書 2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP substrate2013

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, S.Fuchi, and Y.Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Vol.370 ページ: 204-207

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.09.008

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書 2013 研究成果報告書 2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temporal response measurements of GaAs-based photocathodes2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Honda, S.Matsubara, X.G.Jin, T.Miyajima, M.Yamamoto, T.Uchiyama, M.Kuwahara, and Y.Takeda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.52 号: 8R ページ: 86401-86401

    • DOI

      10.7567/jjap.52.086401

    • NAID

      210000142576

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書 2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Picosecond electron bunches from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2013

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, S.Matsuba, Y.Honda, T.Miyajima, M.Yamamoto, T.Utiyama, and Y.Takeda
    • 雑誌名

      Ultramicroscopy

      巻: Vol.130 ページ: 44-48

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of InxGa1-xN single quantum well2013

    • 著者名/発表者名
      G. X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 370 ページ: 36-41

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.09.028

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書 2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 114

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ X-ray reflectivity measurements on annealed InxGa1-xN epilayer grown by metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52

    • NAID

      210000142606

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Picosecond electron bunches from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2013

    • 著者名/発表者名
      X.G. Jin, S. Matsuba, Y. Honda, T. Miyajima, M. Yamamoto, T. Utiyama, Y. Takeda
    • 雑誌名

      Ultramicroscopy

      巻: 130 ページ: 44-48

    • DOI

      10.1016/j.ultramic.2013.04.008

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] X-ray investigation of GaInN single quamtum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, Y. Kato, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 11 号: 3-4 ページ: 393-396

    • DOI

      10.1002/pssc.201300670

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation2012

    • 著者名/発表者名
      X. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, T. Saka, T. Ujihara, N. Tanaka, Y. Takeda
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 353 号: 1 ページ: 84-87

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.05.017

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書 2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mean Transverse Energy Measurement of Negative Electron Affinity GaAs-Based Photocathode2012

    • 著者名/発表者名
      S.Matduba
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 4R ページ: 46402-46402

    • DOI

      10.1143/jjap.51.046402

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書 2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fourfold increase of quantum efficiency in highly spin-polarized transmission-type photocathode2012

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, F.Ichihashi, A.Mano, N.Yamamoto, and Y.Takeda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51 号: 10R ページ: 108004-108004

    • DOI

      10.1143/jjap.51.108004

    • NAID

      210000141406

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書 2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 30-kV spin-polarized transmission electron microscope using GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode2012

    • 著者名/発表者名
      Makoto Kuwahara, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101 号: 3 ページ: 0331021-0331024

    • DOI

      10.1063/1.4737177

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Status of the high brightness polarized electron source using transmission photocathode2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 298 ページ: 12017-12017

    • DOI

      10.1088/1742-6596/298/1/012017

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, S.Fuchi, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 298 ページ: 012011-012011

    • DOI

      10.1088/1742-6596/298/1/012011

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Pulse operation of spin-polarized photocathodes2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Takeda
    • 学会等名
      Workshop on Novel Surface Microscopy and Spectroscopy 2014 in OECU
    • 発表場所
      Eki-Mae Campus, Osaka Electro-Communication University
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Pulse operation of spin-polarized photocathodes2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda
    • 学会等名
      Workshop on Novel Surface Microscopy and Spectroscopy 2014 in OECU
    • 発表場所
      Eki-Mae Campus, Osaka Electro-Communication University,
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] in-situ and ex-situ X-ray measurements on buried heterostructures for semiconductor devices2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Takeda
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyotanabe Campus, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書 2013 研究成果報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Nano-scale characterization of GaAsP/GaAs strained superlattice structures by nano-beam electron diffraction2013

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, H.Nakahara, K.Saitoh, N.Tanaka, Y.Takeda
    • 学会等名
      17^<th> International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Novel development of very high brightness and highly spin-polarized electron gun with compact 3D spin manipulator for SPLEEM2013

    • 著者名/発表者名
      T.Koshikawa, T.Yasue, M.Suzuki, K.Tsuno, S.Goto, X.G.Jin, and Y.Takeda
    • 学会等名
      IVC-19/ICSS-15 AND ICN+T
    • 発表場所
      Paris, France
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Continuous In situ X-ray Reflectance on InxGa1-xN Single Quantum Well by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, Y. Honda, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
    • 学会等名
      OPTICS & PHOTONICS International Congress 2013, Conference on LED and Its Industrial Application’13 (LEDIA’13)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Continuous in situ X-ray reflectivity measurement on InGaN epitaxial growth by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      G.X Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Crystal Growth (ICCGE-17)
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions of quantum barrier by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      G.X Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington DC , USA
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions o of GaN barriers by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyotanabe Campus, Japan.
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Atomic Level In-Situ Monitoring during Epitaxial Growth of Group III Nitrides2013

    • 著者名/発表者名
      G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, Y. Honda, M. Yamaguchi, and
    • 学会等名
      第74回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] GaAs/GaAsP 歪み補償超格子構造による高機能スピン偏極電子源の高量子効率化2012

    • 著者名/発表者名
      金 秀光,真野 篤志, 市橋 史朗, 山本 尚人, 竹田 美和
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学, 17p-DP3-4
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] GaAs/GaAsP 歪み超格子の成長におけるGaAs(001)面と微傾斜面が層厚変調へ及ぼす影響2012

    • 著者名/発表者名
      金 秀光, 中原 弘貴, 齋藤 晃, 坂 貴, 田中 信夫, 竹田 美和
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学, 17p-DP3-5
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Initial emittance and temporal response measurement for GaAs based photocathodes2012

    • 著者名/発表者名
      S.Matsuba, Y.Honda, T.Miyajima, T.Uchiyama, M.Yamamoto, X.G.Jin, Y.Takeda
    • 学会等名
      International Particle Accelerator Conference 2012
    • 発表場所
      Ernest N. Morial Convention Center, New Orleans Louisiana, MOPPP035
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP2012

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Effects of mis-orientation of crystal planes on thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice2012

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Initial emittance and temporal response measurement for GaAs based photocathodes2012

    • 著者名/発表者名
      Shunya Mataubara, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      International Particle Accelerator Conference 2012
    • 発表場所
      New Orleans, Louisiana, USA,
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] High performance spin-polarized photocathode for microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      14th Joint Vacuum Conference
    • 発表場所
      Dubrovnik, Croatia
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Development of high performance photocathodes for microscopy and accelerator2012

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      Photocathode Physics for Photoinjectors (P3)
    • 発表場所
      Cornell University, Ithaca, NY, USA
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] High performance spin-polarized photocathode using strain compensated superlattice2012

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      8th international workshop on LEEM/PEEM
    • 発表場所
      Hong Kong
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Picosecond electron bunch from GaAs/GaAsP strained superlattice photocathode2012

    • 著者名/発表者名
      Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      8th international workshop on LEEM/PEEM
    • 発表場所
      Hong Kong
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Development of novel compact spin-polarized electron gun2012

    • 著者名/発表者名
      Takanori Koshikawwa, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda他
    • 学会等名
      8th international workshop on LEEM/PEEM
    • 発表場所
      Hong Kong
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] GaAs/GaAsP歪み超格子の成長におけるGaAs(001)面と微傾斜面が層厚変調へ及ぼす影響2012

    • 著者名/発表者名
      金, 竹田, 他
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] GaAs/GaAsP歪み補償超格子構造による高機能スピン偏極電子源の高量子効率化2012

    • 著者名/発表者名
      金, 竹田, 他
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of high brightness and highly spin-polarized semiconductor photocathodes2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Takeda
    • 学会等名
      OECU Workshop on Novel Development of Magnetic Microscopy and Smart Spintronics Materials
    • 発表場所
      大阪電気通信大学(大阪府)(招待講演)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] AlGaAs 中間層及びSi_3N_4 反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP 歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上2011

    • 著者名/発表者名
      市橋 史朗,金 秀光,山本 尚人,真野 篤志, 桒原 真人,渕 真悟,宇治原 徹,竹田 美和
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学, 31a-ZA-13
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Super-high brightness and high spin-polarization photocathode for spin-polarized LEEM and pulse spin-TEM2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, A.Mano, N.Yamamoto, M.Suzuki, T.Yasue, T.Koshikawa, N.Tanaka, and Y.Takeda
    • 学会等名
      The 19^<th> International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems and the 15^<th> Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Tallahassee, Florida, USA, Th-1-5
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Effect of inhomogeneous strain distribution on the thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
    • 学会等名
      24^<th> International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kyoto (Japan)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Highly polarized and high quantum efficiency electron source using transmission-type photocathode2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
    • 学会等名
      2^<nd> International Particle Accelerator Conference
    • 発表場所
      San Sebastian (Spain)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] AlGaAs中間層及びSi_3N_4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上2011

    • 著者名/発表者名
      金, 竹田, 他
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 4 times improvement of quantum efficiency in high spin-polarization transmission-type Photocathode2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, S.Fuchi, T.Ujihara, Y.Takeda, 他
    • 学会等名
      33^<rd> International Free Electron Laser Conference
    • 発表場所
      上海(中国)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 透過光型フォトカソードを用いた高スピン偏極・高輝度電子源の開発現状2011

    • 著者名/発表者名
      金, 宇治原, 竹田, 他
    • 学会等名
      第8回日本加速器学会
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] NEA-GaAsフォトカソードのエミッタンス及び時間応答の測定2011

    • 著者名/発表者名
      金, 竹田, 他
    • 学会等名
      第8回日本加速器学会
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Super-high brightness and high spin-polarization photocathode for spin-polarized LEEM and pulse spin-TEM2011

    • 著者名/発表者名
      X.G.Jin, Y.Takeda, 他
    • 学会等名
      The 19^<th> International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and the 15^<th> Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Florida (USA)
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] In-situ measurementon GaInN/GaN heterostructures growth by X-ray reflectivity

    • 著者名/発表者名
      Y. Takeda, G.X. Ju, S. Fuchi, H. Amano
    • 学会等名
      13th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      Nagoya University
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [図書] 強力永久磁石の開発と軸観察先端技術, 第6章,高輝度・高スピン偏極度フォトカソードの開発, マイクロビームアナリシス第141委員会強力永久磁石の開発と軸観察先端技術, 第6章,高輝度・高スピン偏極度フォトカソードの開発, マイクロビームアナリシス第141委員会2014

    • 著者名/発表者名
      竹田 美和
    • 総ページ数
      416
    • 出版者
      日本学術振興会
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [図書] マイクロビームアナリシス・ハンドブック2014

    • 著者名/発表者名
      竹田美和(分担執筆)
    • 総ページ数
      715
    • 出版者
      オーム社
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://mercury.numse.nagoya-u.ac.jp/f6/18106001_takeda_shinchoku.pdf

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体フォトカソード2012

    • 発明者名
      金 秀光, 竹田 美和, 山本 将博, 宮島 司, 本田 洋介
    • 権利者名
      金 秀光, 竹田 美和, 山本 将博, 宮島 司, 本田 洋介
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-221001
    • 出願年月日
      2012
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [産業財産権] スピン偏極電子発生素子及びその作製方法2012

    • 発明者名
      金 秀光, 渕 真悟, 竹田 美和
    • 権利者名
      金 秀光, 渕 真悟, 竹田 美和
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-108186
    • 出願年月日
      2012
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [産業財産権] スピン偏極電子発生素子及びその作製方法2012

    • 発明者名
      金 秀光、竹田美和他
    • 権利者名
      金 秀光、竹田美和他
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-108186
    • 出願年月日
      2012-05-01
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体フォトカソード2012

    • 発明者名
      金 秀光、竹田美和他
    • 権利者名
      金 秀光、竹田美和他
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-221001
    • 出願年月日
      2012-10-01
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書

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公開日: 2011-04-06   更新日: 2019-07-29  

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