| 研究課題/領域番号 |
23246004
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
宇治原 徹 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60312641)
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| 研究分担者 |
原田 俊太 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (30612460)
佐々木 勝寛 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (00211938)
加藤 正史 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (80362317)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
48,620千円 (直接経費: 37,400千円、間接経費: 11,220千円)
2013年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
2012年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
2011年度: 27,040千円 (直接経費: 20,800千円、間接経費: 6,240千円)
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| キーワード | 結晶成長 / シリコンカーバイド / 転位 / ＳｉＣ / 溶液成長 / 結晶欠陥 / SiC |
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| 研究概要 |
パワーデバイス用材料として現在盛んに研究開発が行われているSiCにおいては、基板結晶の高品質化が極めて重要である。本研究では、溶液成長法によって超高品質結晶の実現を目指した。本研究において我々は結晶成長表面のマクロステップの影響で貫通転位が基底面内の転位やフランク型欠陥へ頻繁に変換することを見いだした。これらの現象は、マクロステップの高さや構造に大きく依存することも明らかにした。この現象を利用することで多くの貫通転位を結晶外部に放出させることができ、実際に、マクロステップを利用することで、高品質結晶を実現した。
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