| 研究課題/領域番号 |
23246014
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
田中 悟 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80281640)
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| 研究分担者 |
橋本 明弘 福井大学, 工学系研究科, 教授 (10251985)
小森 文夫 東京大学, 物性研究所, 教授 (60170388)
水野 清義 九州大学, 大学院総合理工学研究院, 教授 (60229705)
VISIKOVSKIY Anton (ANTON V.Visikovs) 九州大学, 大学院工学研究院, 助教 (70449487)
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (90327320)
稲垣 祐次 九州大学, 大学院工学研究院, 助教 (10335458)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
49,920千円 (直接経費: 38,400千円、間接経費: 11,520千円)
2013年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2012年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2011年度: 32,240千円 (直接経費: 24,800千円、間接経費: 7,440千円)
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| キーワード | グラフェン / ナノ構造 / ナノリボン / バンドギャップ / エピタキシー / 電子状態 / 表面制御 |
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| 研究概要 |
グラフェンは究極の２次元構造を有しており電子物性を始めとする物性に大きな興味が持たれている．しかしながらスイッチングデバイス応用に当たり必須なバンドギャップがゼロであることから，バンドギャップの形成は重要な研究課題である．様々な手法が提案されているが，中でもナノリボン化により大きなバンドギャップを形成することが指摘されており，グラフェンナノリボン(GNR)の形成は有意義な課題である．我々はSiC表面に自己形成される周期的ナノ表面をテンプレートとした結晶成長法(MBE, CVD)によりエピタキシャルGNRを形成し，角度分解光電子分光によりK点においてバンドギャップが形成されていることを確認した．
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