| 研究課題/領域番号 |
23246020
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
湯上 浩雄 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60192803)
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| 研究分担者 |
井口 史匡 東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00361113)
佐藤 一永 東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (50422077)
雨澤 浩史 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (90263136)
中村 崇司 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (20643232)
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| 連携研究者 |
金森 義明 東北大学, 大学院工学研究科, 准教授 (10333858)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
49,920千円 (直接経費: 38,400千円、間接経費: 11,520千円)
2013年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
2012年度: 15,080千円 (直接経費: 11,600千円、間接経費: 3,480千円)
2011年度: 24,050千円 (直接経費: 18,500千円、間接経費: 5,550千円)
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| キーワード | ひずみ場制御 / μSOFC / 携帯型電子機器用電源 / 熱応力 / YSZ / ペロブスカイト型プロトン導電体 / マイクロSOFC / ひずみ場 / 応力 / BaZrO3 / in-situXAFS / プロトン導電体 / 薄膜 / 残留応力 / 物理的気相成長法 / 界面応力 / 酸素欠陥 |
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| 研究概要 |
ひずみ場によりイオン伝導性固体の導電特性が変化する現象を能動的に制御することで，携帯型電子機器用の電源として開発が進んでいるμSOFCの特性を向上させ，低温作動特性を付与することを目的とし，ひずみ場の制御手法とその影響の評価を行った。圧縮と引張両方向のひずみ場を導入したセルを評価した結果，引張性のひずみ場を界面から生じる熱応力などで加えることで電解質抵抗が低減される可能性が示唆された。合わせて，ひずみ場を導入可能な構造を持つμSOFCの設計，試作も行った。
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