窒化物半導体超薄膜“１分子層”量子井戸構造光素子の基盤科学技術開拓

• 研究課題/領域番号: 23246056
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 千葉大学
• 研究代表者: 吉川 明彦 千葉大学, 学術研究推進機構・産業連携研究推進ステーション, 特任教授 (20016603)
• 研究分担者: 草部 一秀 千葉大学, 学術研究推進機構・産業連携研究推進ステーション, 特任准教授 (40339106) ; 糸井 貴臣 千葉大学, 大学院工学研究科, 准教授 (50333670) ; 石谷 善博 千葉大学, 大学院工学研究科, 教授 (60291481)
• 研究期間 (年度): 2011-04-01 – 2015-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2014年度)
• 配分額: 49,010千円 (直接経費: 37,700千円、間接経費: 11,310千円); 2014年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円); 2013年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円); 2012年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円); 2011年度: 14,690千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 3,390千円)
• キーワード: 薄膜・量子構造 / 窒化物半導体 / 太陽電池

研究成果の概要

本研究では、“1分子層”InN/GaN構造の高い構造完全性と特徴的な高温自己形成プロセスを高度化・展開し、InN/GaN擬似混晶の構造・物性制御への挑戦および太陽電池への応用について検討を行った。
MBEでの構造制御では、(1分子層InN)/(4分子層GaN)まで超薄膜化された短周期超格子がコヒーレント成長され、電子系が連続バンド状態を示したことから、InN/GaN擬似混晶バンドエンジニアリングの可能性が実証された。一方、MOVPEでは擬似混晶プロセスを導入したInGaN太陽電池の接合特性が大幅に改善され、20 MΩ・cm2以上(測定系検知限界)の世界最高水準の接合リーク抵抗が達成された。

研究成果

• [雑誌論文] Proposal for realizing high-efficiency III-nitride semiconductor tandem solar cells with InN/GaN Superstructure Magic Alloys fabricated at Raised Temperature (SMART) (2014)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe and Akihiko Yoshikawa
  • 雑誌名: SPIE Proceedings Gallium Nitride Materials and Devices IX 巻: 8986 ページ: 89861B-89861B
  • DOI: 10.1117/12.2042121
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effect of Mg doping on the structural and free-charge carrier properties of InN films (2014)
  • 著者名/発表者名: M.-Y. Xie, N. Ben Sedrine, S. Schöche, T. Hofmann, M. Schubert, L. Hung, B. Monemar, X. Wang, A. Yoshikawa, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi and V. Darakchieva
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 巻: 115 号: 16 ページ: 163504-163504
  • DOI: 10.1063/1.4871975
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Multi-bands photoconductive response in AlGaN/GaN multiple quantum wells (2014)
  • 著者名/発表者名: G. Chen, X. Q. Wang, K. Fu, X. Rong, H. Hashimoto, B. S. Zhang, F. J. Xu, N. Tang, A. Yoshikawa, W. K. Ge and B. Shen
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 104 号: 17 ページ: 172108-172108
  • DOI: 10.1063/1.4874982
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of nouradiative carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy (2013)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwra, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
  • 雑誌名: Journal of Electronic Materials 巻: 42 号: 5 ページ: 875-881
  • DOI: 10.1007/s11664-013-2550-y
  • 査読あり
• [雑誌論文] Infrared to vacuum-ultraviolet ellipsometry and optical Hall-effect study of free-charge carrier parameters in Mg-doped InN (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Schoche
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 113 号: 1 ページ: 13502-13502
  • DOI: 10.1063/1.4772625
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang Wang
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 101 号: 17 ページ: 171905-171905
  • DOI: 10.1063/1.4764013
  • 査読あり
• [雑誌論文] Coexistence of free holes and electrons in InN:Mg with In- and N-growth polarities (2012)
  • 著者名/発表者名: L. H. Dmowski
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 111 号: 9 ページ: 93719-93719
  • DOI: 10.1063/1.4710529
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films (2012)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai, et al.
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 249 号: 3 ページ: 472-475
  • DOI: 10.1002/pssb.201100496
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron and hole scattering in InN films investigated by infrared measurements (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Ishitani, et al.
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 207 号: 1 ページ: 56-64
  • DOI: 10.1002/pssa.201100152
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dependence of Mg acceptor levels in InN on doping density and temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: Masayuki Fujiwara, et al.
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 110 号: 9 ページ: 93595-93595
  • DOI: 10.1063/1.3656990
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films (2011)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai, et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 98 号: 18 ページ: 181901-181901
  • DOI: 10.1063/1.3586775
  • 査読あり
• [雑誌論文] InN Thin Film Lattice Dynamics by Grazing Incidence Inelastic X-Ray Scattering (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Serrano, et al.
  • 雑誌名: Phys.Rev.Lett. 巻: 106 号: 20 ページ: 205501-205501
  • DOI: 10.1103/physrevlett.106.205501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical properties of InN/In_<0.73>Ga_<0.27>N multiple quantum wells studied by spectroscopic ellipsometry (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Ben Sedrine, et al.
  • 雑誌名: physica status solidi (c) 巻: 8 号: 5 ページ: 1692-1632
  • DOI: 10.1002/pssc.201000792
  • 査読あり
• [学会発表] (InN)1/(GaN)4 短周期超格子の擬似混晶化 (2015)
  • 著者名/発表者名: 今井 大地, 草部 一秀, 王 科, 吉川 明彦
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学, 神奈川
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] High indium content (InN)m/(GaN)n SPSs on relaxed InGaN templates (2015)
  • 著者名/発表者名: Ke Wang, Kazuhide Kusakabe, Daichi Imai, and Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学, 神奈川
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] デジタル混晶SMART (InN)1/(GaN)4の低NH3分圧MOVPEプロセス (2015)
  • 著者名/発表者名: 草部 一秀, 吉川 明彦
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学, 神奈川
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] Novel structure photonic devices using “1 ML” InN/GaN matrix QW-based active layers (2014)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Daichi Imai
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Diodes
  • 発表場所: NSYSU, Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-14 – 2014-12-19
  • 招待講演
• [学会発表] Band Engineering Technology in Quasi InGaN Ternary Alloy System Based on SMART (InN)1/(GaN)n Short- Period Superlattices (2014)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and A. Yoshikawa
  • 学会等名: MRS Fall meeting
  • 発表場所: Boston, U.S.A.
  • 年月日: 2014-11-29 – 2014-12-05
• [学会発表] MOVPE-SMART太陽電池での実効In組成制御の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 草部 一秀, 今井 大地, 王 科, 吉川 明彦
  • 学会等名: 第75回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学, 北海道
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] (InN)1/(GaN)n 短周期超格子SMART構造の光物性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 今井 大地, 草部 一秀, 王 科, 吉川 明彦
  • 学会等名: 第75回秋季応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学, 北海道
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] InN and InGaN grown by molecular beam epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: X.Q. Wang, X.T. Zheng, D.Y. Ma, B. Shen, G.Y. Zhang, and A. Yoshikawa
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-24 – 2014-08-29
  • 招待講演
• [学会発表] Study on structure perfection of one monolayer thick InN in hexagonal GaN using XRD techniques (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Watanabe, D. Tajimi, N. Hashimoto, K. Kusakabe, K. Wang, T. Yamaguchi, A. Yoshikawa, and T. Honda
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
  • 発表場所: Wroclaw, Poland
  • 年月日: 2014-08-24 – 2014-08-29
• [学会発表] SMART III-Nitride tandem solar cells with using novel digital alloys of InN/GaN short-period superlattices: Theoretical and experimental (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshikawa, K. Kusakabe, N. Hashimoto, K. Wang, D. Imai, and X.Q. Wang
  • 学会等名: The 4th Cross-Straight Workshop on Wide Band Gap Semiconductor
  • 発表場所: Dunhuang, PRC
  • 年月日: 2014-08-04 – 2014-08-07
  • 招待講演
• [学会発表] Prospects and problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental (2014)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Naoki Hashimoto
  • 学会等名: International Conference on Metamaterials and Nanophysics 2014
  • 発表場所: Varadero, Cuba
  • 年月日: 2014-04-22 – 2014-05-01
  • 招待講演
• [学会発表] Light emission properties of ultra thin InN in the GaN matrix (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, T. Yamaguchi, T. Onuma, D. Tajimi, N. Watanabe, N. Hashimoto, K. Kusakabe and A. Yoshikawa
  • 学会等名: International Conference on Metamaterials and Nanophysics 2014
  • 発表場所: Varadero, Cuba
  • 年月日: 2014-04-22 – 2014-05-01
  • 招待講演
• [学会発表] 分光エリプソメトリによるSMART太陽電池MOVPEプロセス開拓 (2014)
  • 著者名/発表者名: 草部一秀、王科、橋本直樹、吉川明彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大相模原キャンパス、相模原市
• [学会発表] RF-MBE成長SMART太陽電池の接合特性改善 (2014)
  • 著者名/発表者名: 王科、草部一秀、橋本直樹、吉川明彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春期学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大相模原キャンパス、相模原市
• [学会発表] “縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測 (2014)
  • 著者名/発表者名: 今井大地、森田健、塚原捷生、石谷善博、馬ベイ、王新強、草部一秀、吉川明彦
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春期学術講演
  • 発表場所: 青山学院大相模原キャンパス、相模原市
• [学会発表] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 今井大地、石谷善博、王新強、草部一秀、吉川明彦、森田健、馬ベイ
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春期学術講演
  • 発表場所: 青山学院大相模原キャンパス、相模原市
• [学会発表] Challenges for Growing Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices as Ordered InGaN Ternary Alloys for SMART III-N Solar Cell Applications (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshikawa, K. Kusakabe, N. Hashimoto, and T. Itoi
  • 学会等名: SemiconNano 2013
  • 発表場所: Lake Arrowhead, CA, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Prospects and Problems for Developing High Performance III-N Solar Cells: Theoretical and Experimental (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshikawa, K. Kusakabe, N. Hashimoto, and X.Q. Wang
  • 学会等名: Int. Forum on Development Strategy of the 3rd Generation Semiconductors
  • 発表場所: Dongguan, Guangdong, PRC
  • 招待講演
• [学会発表] Future prospects and present problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshikawa, K. Kusakabe, and N. Hashimoto
  • 学会等名: The Workshop on Frontiers in Electronics (WOFE-2013)
  • 発表場所: San Juan, Puerto Rico
  • 招待講演
• [学会発表] Progress in InN/GaN Ordered Alloy System toward SMART Solar Cells (2013)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, and Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: Tamsui, Taiwan
• [学会発表] Epitaxy and doping of InN by molecular beam epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang Wang, Bo Shen, Guoyi Zhang, Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: Tamsui, Taiwan
• [学会発表] Epitaxy of InN and InGaN towards solar cells (2013)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang Wang, Bo Shen, and Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: 2013 Spring European Material Research Society Symposium (E-MRS 2013 Spring)
  • 発表場所: Strasbourg, France
• [学会発表] Recent progress in understanding free-charge carrier and structural properties of InN:Mg (2013)
  • 著者名/発表者名: M.-Y. Xie, S. Schöche, T. Hofmann, M. Schubert, N. Ben Sedrine, F. Tasnádi, B. Monemar, X. Wang, A. Yoshikawa, K. Wang, Y. Nanishi, and V. Darakchieva
  • 学会等名: 2013 Spring European Material Research Society Symposium (E-MRS 2013 Spring)
  • 発表場所: Strasbourg, France
• [学会発表] Effects of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonradiative Recombination processes in InN Films (2013)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Xinqiang Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: 10th International conference on nitride semiconductors (ICNS-2013)
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Junction Leakage Resistance of III-N Solar Cells grown on GaN Substrates by MBE and MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, and Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-2013)
  • 発表場所: Washington DC, USA
• [学会発表] Electronic Structure Calculation of (InN)n/(GaN)m Digital Alloy with Quasi-particle Approximation (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Ribeiro Jr., L. K. Teles , R. R. Pelá, L. G. Ferreira, K. Kusakabe, A. Yoshikawa, and M. Marques
  • 学会等名: XXII International Materials Research Congress (IMRC) 2013
  • 発表場所: Cancun, Mexico
• [学会発表] GaN基板上SMART太陽電池の接合特性評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 草部 一秀、橋本 直樹、吉川 明彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋期学術講演会
  • 発表場所: 同志社大、京都府
• [学会発表] InNの非輻射再結合過程におけるフォノン輸送特性の影響 (2013)
  • 著者名/発表者名: 今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋期学術講演会
  • 発表場所: 同志社大、京都府
• [学会発表] 窒化インジウムにおけるフォノン放出による非輻射再結合過程 (2013)
  • 著者名/発表者名: 今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
  • 学会等名: 2013年度秋季物理学会
  • 発表場所: 徳島大、徳島市
• [学会発表] Proposal of coherent-structure InN/GaN QW-based photonic devices: SMART technology for achieving wavelength tunings up to infrared by novel 1-ML InN/GaN matrix MQWs (2013)
  • 著者名/発表者名: Akihiko YOSHIKAWA
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2013
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 招待講演
• [学会発表] MOVPE-InGaN/Sapphire太陽電池の作製・評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 山本智博
  • 学会等名: 2013年春季 第60回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] InNの局所的格子温度上昇による非輻射再結合活性化過程 (2013)
  • 著者名/発表者名: 今井大地
  • 学会等名: 2013年春季 第60回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] Proposal of SMART III-N Tandem Solar Cells on the Basis of Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko YOSHIKAWA
  • 学会等名: Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2012)
  • 発表場所: Orlando, Florida, USA
  • 招待講演
• [学会発表] MBE-Growth of Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices as Ordered InGaN Ternary Alloys for III-N Solar Cell Application (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko YOSHIKAWA
  • 学会等名: AVS 59th International Symposium and Exhibition
  • 発表場所: Tampa, Florida, USA
• [学会発表] Challenges for Growing Ordered InGaN Ternary Alloys: Proposal of SMART III-N Tandem Solar Cells Using InN/GaN Short-period Superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko YOSHIKAWA
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Mid and Far-Infrared analysis of the local electron-lattice dynamics on carrier recombination processes of InN films (2012)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Achievement of Coherent (InN)1/(GaN)4 Short-Period Superlattices Grown by RF-Plasma Molecular Beam Epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Okuda
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] Elucidation of the electrical properties of indium nitride (2012)
  • 著者名/発表者名: Tatiana A. Komissarova
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of high-electron mobility InN and demonstration of p-type doping (2012)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang Wang
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Spectroscopic ellipsometry and optical Hall effect study of InN: Mg Identification of p type doping and determination of free hole parameters (2012)
  • 著者名/発表者名: Stefan Schoche
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo, Japan
• [学会発表] InN for THz application (2012)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang Wang
  • 学会等名: 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Challenges for Achieving High Efficiency SMART III-N Solar Cells with Using Novel Ordered InGaN Ternary Alloys (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Proposal and Prospects of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with using InN/GaN Digital Alloys (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: 2nd UNIST-KIST International Symposium
  • 発表場所: Ulsan, Korea
  • 招待講演
• [学会発表] Propsal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells and Development of SMART Epitaxy Processes (2012)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe
  • 学会等名: International Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors “Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics”
  • 発表場所: Chiba, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] First principles calculations of III-Nitride-based short-period superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Mauro Ribeiro Jr.
  • 学会等名: International Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors “Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics”
  • 発表場所: Chiba, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Overview of Material Properties of InGaN Ternary Alloys for III-Nitride Tandem Solar Cells (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: International Workshop on SMART Green Innovation with Extended NSAP
  • 発表場所: Chiba, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Analysis of carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Imai
  • 学会等名: Electron Material conference
  • 発表場所: Pennsylvania state, USA
• [学会発表] Development of MOVPE Processes for “SMART” III-Nitride Solar Cells: Polarity-dependent Self-limited Adsorption of In on c-plane GaN (2012)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe
  • 学会等名: International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 2012
  • 発表場所: Busan, Korea
• [学会発表] Development of MBE Processes for “SMART” III-Nitride Solar Cells: Coherent-grown (InN)1/(GaN)n Short-Period Superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe
  • 学会等名: International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2012
  • 発表場所: Nara, Japan
• [学会発表] 近・中赤外域分光によるInNの輻射・非輻射再結合過程解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 今井大地
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 今井大地
  • 学会等名: 電子情報通信学会研究会
  • 発表場所: 大阪市立大
• [学会発表] Molecular beam epitaxy of InN and InN:Mg layers (2012)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang Wang
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
  • 招待講演
• [学会発表] Structural Control and Optical Properties of Coherent (InN)1/(GaN)n Short-Period Superlattices for SMART III-Nitride Solar Cells (2012)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] Towards “Device-Quality Epitaxy” of InN, In-rich InGaN, and Fine-Structure InN/InGaN/GaN Superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] Characteristics of carrier recombination processes in n-type and p-type InN films analyzed by infrared spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Daichi Imai
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] InNのキャリア再結合過程における局所的電子-格子ダイナミクスの影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 今井大地
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] 窒化物半導体高効率太陽電池への挑戦 -SMART太陽電池の提案- (2012)
  • 著者名/発表者名: 吉川明彦
  • 学会等名: 応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会「窒化物半導体光デバイスの最前線 ～デバイスと光物性～」
  • 発表場所: 京都
  • 招待講演
• [学会発表] Toward Controlled Epitaxy of Coherent Structure InN/GaN Short-Period Superlattices : Novel InGaN Digital Alloys for SMART III-Nitride Tandem Solar Cells (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: 2012 LAWRENCE SYMPOSIUM ON EPITAXY
  • 発表場所: Scottsdale, AZ, USA
• [学会発表] Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Using InN/GaN Magic Number Digital Alloys (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: International Symposium on Plasma 2012
  • 発表場所: Aichi, Japan(Invited)
• [学会発表] Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Coherent Magic Number Digital Alloys of InN/GaN Superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: International Conference and Workshop on Nanostructured Ceramics and other Nanomaterials 2012
  • 発表場所: Delhi, India(Invited)
• [学会発表] 窒化物エピタキシャル層評価における中赤外域表面・界面モードの利用 (2012)
  • 著者名/発表者名: 増田祥太郎, 他
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学,東京
• [学会発表] 中赤外域分光によるInNのキャリア遷移過程解析 (2012)
  • 著者名/発表者名: 今井大地, 他
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学,東京
• [学会発表] SMART窒化物半導体太陽電池MBEプロセス開拓:(InN)_1/(GaN)_n短周期超格子エピタキシー制御 (2012)
  • 著者名/発表者名: 奥田貴洋, 他
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学,東京
• [学会発表] SMART窒化物半導体太陽電池MBEプロセス開拓:格子変形InGaN混晶へのInN/GaN交互積層供給アプローチ (2012)
  • 著者名/発表者名: 神田陽平, 他
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学,東京
• [学会発表] SMART/InN超薄膜ナノ構造が挿入されたGaNダイオード接合特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 甲斐聡, 他
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学,東京
• [学会発表] 赤外分光法によるInNおよびその他窒化物半導体評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石谷善博, 他
  • 学会等名: 日本学術振興会第162委員会第76回研究会
  • 発表場所: キャンパス・イノベーションセンター東京
  • 年月日: 2011-10-07
• [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride 4-Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: XX International Materials Research Congress
  • 発表場所: Cancun, Mexico
  • 年月日: 2011-08-15
• [学会発表] InN系窒化物のエピタキシ制御・物性制御・ナノ構造制御の現状と展望-表面ストイキオメトリ制御から、pn接合形成まで- (2011)
  • 著者名/発表者名: 吉川明彦, 他
  • 学会等名: 日本学術振興会第162委員会第75回研究会
  • 発表場所: キャンパス・イノベーションセンター東京
  • 年月日: 2011-07-22
• [学会発表] Hole properties of InN crystals investigated by infrared spectroscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Fujiwara, et al.
  • 学会等名: 9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
• [学会発表] Carrier recombination processes in N-polar and In-polar p-type InN films (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Imai, et al.
  • 学会等名: 9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
• [学会発表] Non-radiative carrier recombination processes in N-polar Mg-doped InN films (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Imai, et al.
  • 学会等名: 5^<th> Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: Toba, Japan
• [学会発表] Hole properties of Mg-doped InN films investigated by infrared measurements (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Ishitani, et al.
  • 学会等名: 5^<th> Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: Toba, Japan
• [学会発表] Electron and hole scattering dynamics in InN films investigated by infrared measurements (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Ishitani, et al.
  • 学会等名: European Material Research Society Spring Meeting
  • 発表場所: Nice, France(Invited)
• [学会発表] Progress in p-type doping and characterization of InN (2011)
  • 著者名/発表者名: Xinqiang WANG, et al.
  • 学会等名: European Material Research Society Spring Meeting
  • 発表場所: Nice, France(Invited)
• [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride 4-Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: 9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK(Invited)
• [学会発表] Proposal of "SMART" III-Nitride Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: RAINBOW 4th Training Workshop (Keynote)
  • 発表場所: Bologna, Italy
• [学会発表] Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Magic Number Digital Alloys of InN/GaN Short-Period Superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Akihiko Yoshikawa, et al.
  • 学会等名: The Workshop on Frontiers in Electronics 2011
  • 発表場所: San Juan, Puerto Rico(Invited)
• [学会発表] SMART III-nitride tandem solar cells based on (InN)_n/(GaN)_m short-period Superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe, et al.
  • 学会等名: 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: Toba, Japan
• [学会発表] Strain/Interface Manipulation of (InN)_m/(GaN)_n Short-Period Superlattices by RF-plasma Molecular Beam Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe, et al.
  • 学会等名: 9th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
• [学会発表] Proposal of "SMART" Nitride Semiconductor Tandem Solar Cells based on Superstructure InN/GaN Digital Alloys (2011)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe, et al.
  • 学会等名: MRS Workshop : Photovoltaic Materials and Manufacturing Issues II
  • 発表場所: Denver, Colorado, USA
• [学会発表] Nitride semiconductor "SMART" (InN)_m/(GaN)_n short-period superlattices for broad-band tandem solar cells (2011)
  • 著者名/発表者名: Kazuhide Kusakabe, et al.
  • 学会等名: The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
  • 発表場所: Hakata, Japan
• [学会発表] Study on MBE Processes for fine (InN)_1/(GaN)_4 Shortperiod Superlattices by Spectroscopic Ellipsometry and RHEED (2011)
  • 著者名/発表者名: Naoki Hashimoto, et al.
  • 学会等名: 9th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Glasgow, UK
• [学会発表] 窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成とSMART太陽電池への展開-InGaN系窒化物半導体のエピタキシ制御から超薄膜ナノ構造光デバイス開発へ- (2011)
  • 著者名/発表者名: 吉川明彦
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス福岡(基調講演)
• [学会発表] InNの基礎吸収端以下エネルギーの光・電子物性の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 今井大地, 他
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
  • 発表場所: 東北大学金属材料研究所,仙台市
• [学会発表] InNの正孔散乱過程 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石谷善博, 他
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
  • 発表場所: 東北大学金属材料研究所,仙台市
• [学会発表] 赤外分光によるGaNのフォノン・電子物性深さ分解評価における重要点 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石谷善博, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス,山形市
• [学会発表] In極性、N極性p型InNにおけるキャリア再結合過程解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 今井大地, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス,山形市
• [学会発表] SMART窒化物半導体タンデム太陽電池(6)-(InN)_m/(GaN)_n短周期超格子バンドエンジニアリング- (2011)
  • 著者名/発表者名: 草部一秀, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス,山形市
• [学会発表] SMART窒化物半導体タンデム太陽電池(7)-(InN)_1/(GaN)_n短周期超格子のGaN超薄膜化- (2011)
  • 著者名/発表者名: 名倉晶則, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス,山形市
• [学会発表] SMART窒化物半導体タンデム太陽電池(8)-(InN)_1/(GaN)_n短周期超格子の格子歪み評価- (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥田貴洋, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス,山形市
• [学会発表] SMART窒化物半導体タンデム太陽電池(9)-1分子層In吸着・脱離のMOVPE"その場"観察- (2011)
  • 著者名/発表者名: 竜崎達也, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス,山形市
• [図書] 「ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ」“窒化物半導体による広帯域・高効率太陽電池” (2013)
  • 著者名/発表者名: 草部一秀（分担）
  • 総ページ数: 404
  • 出版者: 培風館
• [図書] ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ (2013)
  • 著者名/発表者名: 吉川明彦（監修）
  • 総ページ数: 404
  • 出版者: 培風館
• [図書] Thin Film Growth : Physics, Materials Science and Applications, Chap 12, "Polarity controlled epitaxy of III-nitrides and ZnO by molecular beam epitaxy" pp.288-316 (2011)
  • 著者名/発表者名: Zexian Cao編、共著
  • 総ページ数: 500
  • 出版者: Woodhead Publishing, England, 2011
• [産業財産権] 光電変換素子及びその製造方法 (2014)
  • 発明者名: 草部 一秀、吉川 明彦
  • 権利者名: 千葉大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2014-242709
  • 出願年月日: 2014-12-01
• [産業財産権] 光電変換装置 (2013)
  • 発明者名: 吉川明彦、石谷善博、草部一秀
  • 権利者名: 千葉大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-238747
  • 出願年月日: 2013-11-19
• [産業財産権] 光電変換装置 (2013)
  • 発明者名: 吉川明彦、石谷善博、草部一秀
  • 権利者名: 千葉大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-238746
  • 出願年月日: 2013-11-19
• [産業財産権] 半導体光素子 (2012)
  • 発明者名: 崔 成伯、石谷 善博、吉川 明彦
  • 権利者名: 千葉大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2012-12-30
  • 取得年月日: 2014-06-20
• [産業財産権] 結晶軸配向性とファセット（結晶面）を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子 (2012)
  • 発明者名: 崔成伯，吉川明彦
  • 権利者名: 千葉大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2012-152608
  • 出願年月日: 2012-07-06
• [産業財産権] 半導体光素子 (2012)
  • 発明者名: 崔成伯，石谷善博，吉川明彦
  • 権利者名: 千葉大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2012-289267
  • 出願年月日: 2012-12-30
• [産業財産権] PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE (2012)
  • 発明者名: A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Kusakabe
  • 権利者名: 千葉大学
  • 出願年月日: 2012-03-02
  • 外国
• [産業財産権] PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND CHARACTERISTIC INSPECTION METHOD FOR SAME (2012)
  • 発明者名: A.Yoshikawa, Y.Ishitani, K.Kusakabe
  • 権利者名: 千葉大学
  • 出願年月日: 2012-03-02
  • 外国
• [産業財産権] 光電変換装置 (2011)
  • 発明者名: 吉川明彦、草部一秀、石谷善博
  • 権利者名: 千葉大学
  • 出願年月日: 2011-06-17
  • 外国