ゲルマニウムＭＯＳ界面電気伝導機構の解明と高移動度化手法の確立

• 研究課題/領域番号: 23246058
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 高木 信一 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30372402)
• 連携研究者: 竹中 充 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授 (20451792)
• 研究期間 (年度): 2011-04-01 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 49,140千円 (直接経費: 37,800千円、間接経費: 11,340千円); 2013年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円); 2012年度: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2011年度: 20,280千円 (直接経費: 15,600千円、間接経費: 4,680千円)
• キーワード: MOSFET / ゲルマニウム / 移動度 / 反転層 / サブバンド

研究概要

Ge MOSFETの実効移動度とホール移動度の比較により、キャリアが価電子帯内及び伝導帯内の界面準位に捕獲され、実効移動度の低下が起こること、また原子状重水素アニールにより、この準位が低減できることを明らかにした。また、ECRプラズマ酸化を用いた0. 76 nm のEOTをもつHfO2/Al2O3/GeOx/Ge MOSFETで690 cm2/Vs の電子移動度、550 cm2/Vs の正孔移動度を実証し、その面方位依存性を明らかにした。また、酸化濃縮法及び貼り合せ法により作製したGOI基板により、20nm以下の膜厚のGOI nMOSFETとpMOSFETの動作と移動度の評価に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Impact of plasma postoxidation temperature on the electrical properties of Al_2O_3/GeO_X/Ge pMOSFETs and nMOSFETs (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: IEEE Transaction on Electron Devices 巻: 61 号: 2 ページ: 416-422
  • DOI: 10.1109/ted.2013.2295822
  • 査読あり
• [雑誌論文] Invited : Performance enhancement technologies in III-V/Ge MOSFETs Ge-based and III-V technologies (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, Rui Zhang, S. -H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: VOL. 59 号: 9 ページ: 137-148
  • DOI: 10.1149/05809.0137ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, S. -H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata and M. Takenaka
  • 雑誌名: Solid Stale Electronics 巻: 88 ページ: 2-8
  • DOI: 10.1016/j.sse.2013.04.020
  • 査読あり
• [雑誌論文] Invited : III-V/Ge MOS transistor technologies for future ULSI future IC technology and novel devices (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: VOL. 54 号: 1 ページ: 39-54
  • DOI: 10.1149/05401.0039ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, and M.Takenaka
  • 雑誌名: Micoroelectron. Eng. 巻: 109 ページ: 389-395
  • DOI: 10.1016/j.mee.2013.04.034
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of plasma post oxidation temperature on interface trap density and roughness at GeOx/Ge interfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, J. C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: Microelectron. Eng. 巻: 109 ページ: 97-100
  • DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.034
  • 査読あり
• [雑誌論文] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.S.-H.Kim, R.Zhang, N.Taoka, Yokoyama and M.Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 53(3) 号: 3 ページ: 97-105
  • DOI: 10.1149/05303.0003ecst
• [雑誌論文] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Yokoyama, S.-H.Kim, R.Suzuki, R.Zhang, N.Taoka and M.Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 53(3) 号: 3 ページ: 85-96
  • DOI: 10.1149/05303.0085ecst
• [雑誌論文] High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation (2013)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
  • 雑誌名: IEEE Trans. Electron Devices 巻: vol.60, no.3 号: 2 ページ: 927-934
  • DOI: 10.1109/ted.2011.2176495
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic layer-by-layer oxidation of Ge (100) and (111) surfaces by plasma post oxidation of Al2O3/Ge structures (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, M. Takenaka and S. Takagi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 102 号: 8 ページ: 81603-81603
  • DOI: 10.1063/1.4794013
  • 査読あり
• [雑誌論文] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications (invited) (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, R. Zhang, N. Taoka, and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 53 (3) ページ: 85-96
• [雑誌論文] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Yokoyama and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 53 (3) ページ: 97-105
• [雑誌論文] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI (invited) (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 54 (1) ページ: 39-54
• [雑誌論文] Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs (invited) (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang and M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 58(9) ページ: 137-148
• [雑誌論文] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3 (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, P.-C.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 50(9) 号: 9 ページ: 699-706
  • DOI: 10.1149/05009.0699ecst
• [雑誌論文] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki N.Taoka, M.Yokoyama and M.Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 50(4) 号: 4 ページ: 107-122
  • DOI: 10.1149/05004.0107ecst
• [雑誌論文] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 雑誌名: ECS Transaction 巻: 50 (4) ページ: 107-122
• [雑誌論文] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3 (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 雑誌名: ECS Transaction 巻: 50 (9) ページ: 699-706
• [雑誌論文] Highly strained-SiGe-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effective transistors fabricated by applying Ge condensation technique to strained-Si-on-insulator substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 99 号: 14 ページ: 142108-142108
  • DOI: 10.1063/1.3647631
  • 査読あり
• [雑誌論文] Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Yokoyama, Y.-H.Kim and M.Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 41(7) 号: 7 ページ: 203-218
  • DOI: 10.1149/1.3633300
• [雑誌論文] MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, T.Hoshii and M.Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 41(3) 号: 3 ページ: 3-20
  • DOI: 10.1149/1.3633015
• [雑誌論文] Suppression of ALD-induced degradation of Ge MOS interface properties by low power plasma nitridation of GeO2 (2011)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
  • 雑誌名: J. Electrochem. Soc. 巻: 158 号: 8 ページ: G178-G178
  • DOI: 10.1149/1.3599065
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of GeOx interfacial layer thickness on Al2O3/Ge MOS interface properties (2011)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: Microelecton. Engineering 巻: 88 号: 7 ページ: 1533-1536
  • DOI: 10.1016/j.mee.2011.03.130
  • 査読あり
• [雑誌論文] Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi and M.Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. 巻: 35(3) 号: 3 ページ: 279-298
  • DOI: 10.1149/1.3569921
• [雑誌論文] Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: vol.98 号: 11 ページ: 112902-112902
  • DOI: 10.1063/1.3564902
  • 査読あり
• [雑誌論文] High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, S.Dissanayake and M.Takenaka
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: Vol.470 ページ: 1-7
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.470.1
  • 査読あり
• [学会発表] III-V/Ge CMOS Device Technologies for Future Logic LSIs (2014)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi and M.Takenaka
  • 学会等名: 7th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
  • 発表場所: Swissotel Merchant Court, Singapore, Singapore
• [学会発表] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: X.Yu, R.Zhang, J.Kang, T.Osada, M.Hata, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: 21st International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)
  • 発表場所: Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan
• [学会発表] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, W. Chern, X. Yu, M. Takenaka, J. L. Hoyt and S. Takagi
  • 学会等名: 2014年第61回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Maeda, T. Itatani, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 2014年第61回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] Sb拡散ソース・ドレインを有する酸化濃縮基板上反転型極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFET (2014)
  • 著者名/発表者名: 金佑彊, 金栄現, 金相賢, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 2014年第61回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] 容量値の時間応答を利用したGe MOS界面における遅い準位の定量的評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田中克久，張睿，竹中充，高木信一
  • 学会等名: 2014年第61回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス（神奈川県相模原市）
• [学会発表] III-V and Germanium FET Technologies on Si platform (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: Compound Semiconductor International Conference
  • 発表場所: Sheraton Frankfurt Airport Hotel, Frankfurt, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks and Strain Modulation (2013)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, W.Chern, X.Yu, M.Takenaka, J.L.Hoyt and S.Takagi
  • 学会等名: International Electron Device Meeting (IEDM)
  • 発表場所: Washington Hilton, Washington, DC, USA
• [学会発表] Ultra-thin body MOS device technologies using high mobility channel materials (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, S.-H.Kim, M.Yokoyama, W.-K.Kim, R.Zhang and M.Takenaka
  • 学会等名: IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
  • 発表場所: Hyatt Regency Monterey Hotel and Spa, Monterey, USA
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi and M.Takenaka
  • 学会等名: IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
  • 発表場所: National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan
  • 招待講演
• [学会発表] III-V/Ge MOS Interface Control Using and High k Films (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki, C.-Y.Chang, N.Taoka, S.-H.Kim, M.Yokoyama and M.Takenaka
  • 学会等名: 15th Asian Chemical Congress (15ACC)
  • 発表場所: Resorts World Sentosa, Singapore, Singapore
  • 招待講演
• [学会発表] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi and M.Takenaka
  • 学会等名: International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
  • 発表場所: Grand Hotel de Paris, Villard de Lans, France
  • 招待講演
• [学会発表] Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on Interface Trap Density and Roughness at GeOx/Ge Interfaces (2013)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, Ju-Chin Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: 18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
  • 発表場所: The Jagiellonian University, Cracow, Poland
• [学会発表] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang and M.Takenaka
  • 学会等名: 18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
  • 発表場所: The Jagiellonian University, Cracow, Poland (plenary)
• [学会発表] Examination of Physical Origins Limiting Effective Mobility of Ge MOSFETs and the Improvement by Atomic Deuterium Annealing (2013)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, J-C.Lin, X.Yu, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: 2013 Symposia on VLSI Technology
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル京都(京都府京都市)
• [学会発表] III-V/Ge CMOS device technologies (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi and M.Takenaka
  • 学会等名: 20th Symposium on Nano Device Technology (SNDT)
  • 発表場所: International Conference Hall of Nano Device Laboratory, Hsinchu, Taiwan
  • 招待講演
• [学会発表] MOS interface engineering for high-mobility Ge CMOS (2013)
  • 著者名/発表者名: M.Takenaka, R.Zhang, and S.Takagi
  • 学会等名: International Reliability Physics Symposium (IRPS)
  • 発表場所: Hyatt Regency Monterey, Monterey, USA
  • 招待講演
• [学会発表] MOS interface control in III-V/Ge gate stacks and the impact on MOSFET performance (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka, R.Suzuki, S.-H.Kim, M.Yokoyama, and M.Takenaka
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) Spring Meeting, Symposium CC "Gate Stack Technology for End-of-Roadmap Devices in Logic, Power, and Memory"
  • 発表場所: Moscone Center, San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] MOS interface control of high mobility channel materials for advanced CMOS applications (2013)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, R.Suzuki, N.Taoka, M.Yokoyama and M.Takenaka
  • 学会等名: 3rd Molecular Materials Meeting (M3)
  • 発表場所: Singapore, Singapore
  • 招待講演
• [学会発表] MOS interface control in III-V/Ge gate stacks and the impact on MOSFET performance (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, R. Zhang, N. Taoka, R. Suzuki, S.-H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
  • 学会等名: 2013 MRS (Material Research Society) Spring Meeting, Symposium CC “Gate Stack Technology for End-of-Roadmap Devices in Logic, Power, and Memory”
  • 発表場所: Moscone Center, San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, R. Zhang, N. Taoka, and M. Takenaka
  • 学会等名: 223rd Spring Meeting of Electrochemical Society, E5 Symposium on Silicon compatible materials, processes and technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 3
  • 発表場所: The Sheraton Centre Toronto Hotel, Toronto, Canada
  • 招待講演
• [学会発表] Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Yokoyama and M. Takenaka
  • 学会等名: 223rd Spring Meeting of Electrochemical Society, E5 Symposium on Silicon compatible materials, processes and technologies for Advanced Integrated Circuits and Emerging Applications 3
  • 発表場所: The Sheraton Centre Toronto Hotel, Toronto, Canada
• [学会発表] Characterization of Interface Properties of Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures (2013)
  • 著者名/発表者名: J.-C. Lin, R. Zhang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI)
  • 発表場所: 九州大学医学部百年講堂（福岡県福岡市）
• [学会発表] High Quality Ge Gate Stacks Technologies by Using Plasma Oxidation (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, R. Zhang and M. Takenaka
  • 学会等名: JSPS Core-to-Core Program Seminar, “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
  • 発表場所: 九州大学医学部百年講堂（福岡県福岡市）
  • 招待講演
• [学会発表] Examination of Physical Origins Limiting Effective Mobility of Ge MOSFETs and the Improvement by Atomic Deuterium Annealing (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 2013 Symposia on VLSI Technology
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル京都（京都府京都市）
• [学会発表] Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, R. Zhang and M. Takenaka
  • 学会等名: 18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS)
  • 発表場所: The Jagiellonian University, Cracow, Poland
  • 招待講演
• [学会発表] III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi and M. Takenaka
  • 学会等名: International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
  • 発表場所: Grand Hôtel de Paris, Villard de Lans, France
  • 招待講演
• [学会発表] III-V/Ge CMOSフォトニクス実現に向けたデバイス技術 (2013)
  • 著者名/発表者名: 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 第77回半導体・集積回路技術シンポジウム
  • 発表場所: 東京工業大学蔵前会館（東京都目黒区）
  • 招待講演
• [学会発表] Characterization of Interface Traps in Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures (2013)
  • 著者名/発表者名: J.-C. Lin, R. Zhang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
• [学会発表] Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
• [学会発表] 酸化濃縮基板へのSbドーピングにより作製した極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFETs (2013)
  • 著者名/発表者名: 金佑彊, 忻宇飛, 金栄現, 金相賢, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス（京都府京田辺市）
• [学会発表] High Mobility Channel CMOS Technology (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Short Course, A. Fundamentals on Advanced CMOS/Memory technologies
  • 発表場所: ヒルトン福岡シーホーク（福岡県福岡市）
  • 招待講演
• [学会発表] Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang and M. Takenaka
  • 学会等名: 224th Fall meeting of the Electrochemical Society, ULSI Process Integration 8
  • 発表場所: The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] 低消費電力CMOSのため高移動度チャネルトランジスタ技術 (2013)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: 第29回 (2013) 京都賞記念ワークショップ 先端技術部門「集積回路の発展50年とその未来－超高集積メモリ・省電力LSI に向けてー」
  • 発表場所: 国立京都際会館（京都府京都市）
  • 招待講演
• [学会発表] III-V/Ge device engineering for CMOS photonics (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka and S. Takagi
  • 学会等名: 8th international conference on processing and manufacturing of advanced materials (THERMEC2013)
  • 発表場所: Rio Hotel, Las Vegas, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Ge Oxide Growth by Plasma Oxidation of Ge substrates through Al2O3 Layers (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 学会等名: 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
  • 発表場所: 名古屋大学、愛知県
• [学会発表] Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析 と原子層平坦GeOx/Ge界面による移動度の向上 (2013)
  • 著者名/発表者名: 張睿
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第154回研究集会/電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
  • 発表場所: 機械振興会館、東京都
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility Ge MOSFETs using 0.7 nm EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: 6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar - Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
  • 発表場所: 東北大学、宮城県
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility Ge CMOS devices with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 学会等名: 2013年第60回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学、神奈川県
  • 招待講演
• [学会発表] Improvement of High Ns Mobility of Ge MOSFETs by Reducing GeOx/Ge Interface Roughness (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 学会等名: 2013年第60回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学、神奈川県
• [学会発表] Mobility Degradation of Ge MOSFETs in High Ns Region due to Interface States inside Conduction and Valence Bands of Ge (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 学会等名: 2013年第60回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学、神奈川県
• [学会発表] 酸化濃縮法Ge-On-Insulator層の薄膜化がMOS界面正孔移動度に与える効果 (2013)
  • 著者名/発表者名: 忻宇飛
  • 学会等名: 2013年第60回 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学、神奈川県
• [学会発表] 異種材料(Si/Ge/化合物半導体)集積化技術 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: Electronic Journal第984回Technical Seminar
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-01-30
• [学会発表] Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, P.-C.Huang, J.-C.Lin, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: 2012 International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: San Francisco, USA
• [学会発表] MOS interface and channel engineering for high-mobility Ge/III-V CMOS (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, S.-H Kim, N.Taoka, M.Yokoyama, J.-K.Suh, R.Suzuki, Y.Asakura, C.Zota and M.Takenaka
  • 学会等名: 2012 International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3 (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, P.-C.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: Symposium on 5th International SiGe, Ge, & Related Compounds : Materials, Processing, and Devices, Symposium E of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting
  • 発表場所: Honolulu, USA
• [学会発表] III-V/Ge Channel MOS Transistor Technologies for Advanced CMOS (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, S,-H, Kim, R.Zhang, M.Yokoyama, N.Taoka and M.Takenaka
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: 国立京都国際会館、京都府
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, P.C.Huang, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: Symposium on VLSI technology
  • 発表場所: Honolulu, USA
• [学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi and M.Takenaka
  • 学会等名: 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012)
  • 発表場所: Grenoble, France
• [学会発表] III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka
  • 学会等名: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
  • 発表場所: 沖縄青年会館、沖縄県
  • 招待講演
• [学会発表] 高移動度チャネルCMOSデバイス (2012)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第152回研究集会
  • 発表場所: 産業技術総合研究所、東京都
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 学会等名: 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学、愛媛県
• [学会発表] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3 (2012)
  • 著者名/発表者名: R. Zhang
  • 学会等名: Symposium on 5th International SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices, Symposium E of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting
  • 発表場所: Honolulu, USA
• [学会発表] MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics 10, Symposium E4 of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 招待講演
• [学会発表] High Mobility Channel CMOS Transistors - Beyond Silicon (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: 2012 International Electron Devices Meeting (IEDM) tutorial
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using High Mobility Channel Materials (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Takenaka
  • 学会等名: International Symposium on Secure-Life Electronics-Advanced Electronics and Information Systems for Quality Life and Society-
  • 発表場所: 東京
• [学会発表] High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Takenaka
  • 学会等名: 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012)
  • 発表場所: Grenoble, France(invited)
• [学会発表] High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with 1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate stacks (2012)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, N.Taoka, P.-C.Huang, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京(受賞講演)
• [学会発表] Non-Si Channel MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Takenaka
  • 学会等名: 2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS' 11)
  • 発表場所: つくば、茨城(invited)
  • 年月日: 2011-12-15
• [学会発表] High Mobility Materials : III-V/Ge FETs (IEDM short course) (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi
  • 学会等名: ternational Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: Washington DC, USA(invite)
  • 年月日: 2011-12-04
• [学会発表] High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi
  • 学会等名: IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC)
  • 発表場所: Jeju, Korea (plenary)
  • 年月日: 2011-10-21
• [学会発表] High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era (plenary talk) (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi
  • 学会等名: IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC)
  • 発表場所: Jeju, Korea(invited)
  • 年月日: 2011-10-21
• [学会発表] Channel Engineering for Advanced CMOS Devices (SSDM short course) (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid state Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: 名古屋(invited)
  • 年月日: 2011-09-27
• [学会発表] Non-Si材料チャネルMOSトランジスタの研究開発動向 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高木信一, 竹中充
  • 学会等名: 日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会
  • 発表場所: 神奈川(招待講演)
  • 年月日: 2011-07-28
• [学会発表] プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET (2011)
  • 著者名/発表者名: 張睿, 岩崎敬志, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2011-07-21
• [学会発表] 1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, N.Taoka, P.Huang, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: Washington DC., USA
• [学会発表] MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka and M.Takenaka
  • 学会等名: 41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2011)
  • 発表場所: Arlington, VA, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: J.-K.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: 37th Device Research Conference (DRC)
  • 発表場所: Santa Barbara, USA
• [学会発表] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: 17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors"
  • 発表場所: Grenoble, France
• [学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka and S.Takagi
  • 学会等名: VLSI symp.
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Advanced CMOS Technologies using III-V/Ge Channels (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Takenaka
  • 学会等名: 11th International Symposium on VLSI Technology, System and Applications (VLSI-TSA)
  • 発表場所: Hsinchu, Taiwan(invited)
• [学会発表] Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Takenaka
  • 学会等名: 219th Electrochemical Society Meeting, Symposium E3 : International Symposiu on Graphene, Ge/III-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-CMOS Applications -3
  • 発表場所: Montreal, Canada(invited)
• [学会発表] High Mobility Material Channel CMOS Technologies based on Heterogeneous Integration (Keynote Speech) (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Takenaka
  • 学会等名: 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011)
  • 発表場所: Kyoto, Japan(invited)
• [学会発表] High Mobility Ge pMOSFETs with 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: Symposium on VLSI technology
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge HOS interface Properties (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, T.Iwasaki, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: 7th Conference on Insulating Films on Semiconductor
  • 発表場所: Grenoble, France
• [学会発表] Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: J.-K.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: 37th Device Research Conference (DRC)
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
• [学会発表] Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Suh, R.Nakane, N.Taoka, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] High Nobility Ge pMOSFETs with 1nm Thin EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate stacks (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, N.Taoka, T.Iwasaki, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形
• [学会発表] (III-V/Ge)-On-Insulator CMOS Technology (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi
  • 学会等名: 37th IEEE International SOI Conference
  • 発表場所: Tempe, Arizona, USA(invited)
• [学会発表] MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, T.Hoshii, M.Takenaka
  • 学会等名: Symposium on High Dielectric Constant and other Dielectric Materials for Nanoeleectronics and Photonics 9, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting
  • 発表場所: Boston, Massachusetts, USA(invited)
• [学会発表] Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, M.Yokoyama, Y.-H.Kim, M.Takenaka
  • 学会等名: Symposium on ULSI Process Integration 7, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting
  • 発表場所: Boston, Massachusetts, USA(invited)
• [学会発表] MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Takagi, R.Zhang, N.Taoka, M.Takenaka
  • 学会等名: 41th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2011)
  • 発表場所: Arlington, VA, USA(invited)
• [学会発表] 1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Zhang, N.Taoka, P.Huang, M.Takenaka, S.Takagi
  • 学会等名: International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: Washington DC, DSA
• [図書] 2. III-V/Ge デバイス構造, 先端LSI 技術大系(GNC Tech. Vol.2)、第3章 将来技術 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 出版者: グローバルネット株式会社
• [図書] 2. III-V/Ge デバイス構造”, 先端LSI技術大系（GNC Tech. Vol. 2）、第3章 将来技術 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 総ページ数: 9
  • 出版者: グローバルネット株式会社
• [図書] Silicon-germanium (SiGe) nanostructures -Production, properties and applications in electronics (chapter 19) (2011)
  • 著者名/発表者名: Shinichi Takagi
  • 総ページ数: 29
  • 出版者: Woodhead Publishing Limited
• [図書] Silicon-germanium (SiGe)-based field effect transistors (FET) and complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technologies, Silicon-germanium (SiGe) nanostructures -Production, properties and applications in electronics, chapter 19
  • 著者名/発表者名: S.Takagi
• [備考]
  • URL: http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/
• [備考] 高木・竹中研究室
  • URL: http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/