| 研究課題/領域番号 |
23246063
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
藤田 淳一 筑波大学, 数理物質系, 教授 (10361320)
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| 研究分担者 |
白木 賢太郎 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (90334797)
山田 洋一 筑波大学, 数理物質系, 講師 (20435598)
村上 勝久 筑波大学, 数理物質系, 助教 (20403123)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
47,970千円 (直接経費: 36,900千円、間接経費: 11,070千円)
2013年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
2012年度: 15,600千円 (直接経費: 12,000千円、間接経費: 3,600千円)
2011年度: 23,400千円 (直接経費: 18,000千円、間接経費: 5,400千円)
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| キーワード | グラフェン / ナノリボン / アミロイド / 触媒反応 / FET / 欠陥 / 電子移動度 / グラフェンナノリボン / ガリウム / 蒸気 / 電子散乱 / アミロイド「 / 固相反応 / 結晶方位 / エピタキシャル / C60 |
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| 研究概要 |
本研究では、Ga蒸気による固液界面でのグラファイト化反応を制御し、アミロイド高分子をカーボンテンプレートとした幅サブ10ナノメートル長さ約10ミクロンのGNR 固相合成を実現して、そのFET特性を評価した。GNR-FETチャネルはp型の伝導特性を示し400%程度のコンダクタンス変調率が得られた。また、1050℃で合成したGNRの電子移動度μは0.83 cm2/Vsとなり、GNRに内在する欠陥やエッジラフネスに起因するホッピング伝導が支配的である。
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