| 研究課題/領域番号 |
23246066
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
村上 博成 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センタ, 准教授 (30219901)
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| 研究分担者 |
川山 巌 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 准教授 (10332264)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
50,050千円 (直接経費: 38,500千円、間接経費: 11,550千円)
2013年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
2012年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
2011年度: 34,190千円 (直接経費: 26,300千円、間接経費: 7,890千円)
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| キーワード | テラヘルツ / 近接場光 / 顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / フェムト秒レーザー / 半導体光スイッチ / 半導体 / 時間領域分光 / キャリアダイナミクス / ナノサイエンス / 超高速デバイス |
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| 研究概要 |
微細加工された超高速光電子デバイスの評価のため、レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）の高空間分解能化を行った。具体的には原子間力顕微鏡（AFM）のカンチレバーのチップ先端に500nmφ径の微細孔加工を施したものを使用し、これにフェムト秒レーザーを照射することによって先端から発生する近接場光を利用してテラヘルツ電磁波パルスの発生に成功した。このテラヘルツ電磁波パルスの強度分布を観測することにより高分解LTEM像およびAFM像の同時観察に成功した。また、近接場光励起によって発生する微弱なテラヘルツ電磁波パルスを高感度に検出するため、低温成長GaAs光伝導スイッチ形状の最適化を行った。
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