| 研究課題/領域番号 |
23246075
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
計測工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
櫛引 淳一 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 (50108578)
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| 研究分担者 |
荒川 元孝 東北大学, 大学院医工学研究科, 助教 (00333865)
大橋 雄二 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (50396462)
橋本 研也 千葉大学, 大学院工学研究科, 教授 (90134353)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
47,710千円 (直接経費: 36,700千円、間接経費: 11,010千円)
2013年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
2012年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円)
2011年度: 25,350千円 (直接経費: 19,500千円、間接経費: 5,850千円)
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| キーワード | 超精密超音波計測 / ワイドバンドギャップ半導体 / 超音波マイクロスペクトロスコピー / 材料定数 / 欠陥評価技術 |
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| 研究概要 |
AlN、ZnO、SiC、GaNなどのワイドバンドギャップ半導体を用いた、より高効率・長寿命なデバイスを実現するために、膜の高品質化・高均質化とともに高均質バルク単結晶基板が不可欠である。そのための高精度な評価技術として超音波マイクロスペクトロスコピー(UMS)技術による新しい半導体材料評価法を確立した。とりわけエピタキシャル膜の評価は弾性的異方性があるため困難であるが、ScをドープしたAlN膜に対するUMS技術による弾性表面波速度の測定やアルキメデスの原理をベースにした密度測定を通してその有用性を実証した。
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