研究課題
基盤研究(A)
レーザー誘起結晶化法を用いて様々な形状を有する結晶パターニングを行い、結晶成長機構を解明した。レーザー焦点位置をガラス表面から内部に徐々に移動させることによってガラス内部(深さ:100ミクロン)に結晶がパターニングできることを実証した。屈曲状結晶のパターニングでは、屈曲点近傍で、徐々に、レーザー走査方向に沿って優先結晶方位に向きを変えることを明らかにした。クロス結晶ラインパターニングでは、2つの結晶ライン間にホモエピタキシャル結晶成長が起きていることを発見した。レーザー誘起結晶化法では、通常の結晶成長では出現しない、極めて特異な結晶成長が起こることを実証し、新たな結晶成長工学分野を提案した。
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