| 研究課題/領域番号 |
23246116
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
谷口 尚 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端材料プロセスユニット, グループリーダー (80354413)
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| 研究分担者 |
渡邊 賢司 物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット 光電機能グループ, 主席研究員 (20343840)
川村 史朗 物質・材料研究機構, 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ, 主任研究員 (80448092)
宮川 仁 物質・材料研究機構, 超伝導物性ユニット強相関物質探索グループ, 主任研究員 (40552667)
大場 史康 京都大学, 大学院工学研究科 材料工学専攻, 准教授 (90378795)
山田 貴壽 (独)産業技術総合研究所, ナノチューブ応用研究センター, 主任研究員 (30306500)
中山 敦子 新潟大学, 研究推進機構 超域学術院, 准教授 (50399383)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
49,530千円 (直接経費: 38,100千円、間接経費: 11,430千円)
2013年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2012年度: 17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2011年度: 20,280千円 (直接経費: 15,600千円、間接経費: 4,680千円)
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| キーワード | 六方晶窒化ホウ素単結晶 / 遠紫外線発光 / グラフェン基板 / 六方晶窒化ホウ素 / 高圧合成 / グラフェンデバイス用基板 / フラックス法 / 結晶成長 / 反応性溶媒 |
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| 研究概要 |
高純度六方晶窒化ホウ素(hBN)単結晶の創製と、これを利用した新たな機能発現を目的とした。hBNのバンドギャップが約6.4eVであること、炭素不純物と高輝度紫外線バンド端発光との相関を実験的に明らかにした。更にグラフェン基板材料として、hBN-グラフェン積層構造に加え、MoS2系等の新たな2次元電子系デバイス用基板、絶縁膜としての有用性を各国の研究機関との連携で明らかにした。不純物制御のための基礎研究として、BN多形及びAlNにおける希土類元素の配位環境を理論と微構造解析により明らかにした。
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