研究課題/領域番号 |
23246125
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
材料加工・処理
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
須賀 唯知 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40175401)
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研究分担者 |
島津 武仁 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 教授 (50206182)
日暮 栄治 (日暮 英治) 東京大学, 先端科学技術研究センター, 准教授 (60372405)
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研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2013年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
2012年度: 29,640千円 (直接経費: 22,800千円、間接経費: 6,840千円)
2011年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円)
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キーワード | 接合 / 実装 / 集積化 / 常温接合 / 表面活性化 |
研究概要 |
本研究は、我国が先行する常温接合を世界に先駆けて実用化・量産化に結びつけるための新しい視点として、大気中での常温接合を実現することを目的としている。 そのため、従来の常温接合の基礎技術を体系化し、Arイオン衝撃とSiのナノ密着層の組み合わせ、原子拡散接合、大気圧プラズマ照射、水素ラジカル処理などの新しいプロセス、およびその複合プロセスを提案した。 またこの過程で、当初予定していなかったSi-Feナノ密着層を適用することで、ポリマーとガラスや、SiCなどの接合が可能であることが判明した。これらの結果を応用し、光マイクロシステムの集積化やデバイス封止技術へ適用可能であることを示した。
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