研究課題/領域番号 |
23310083
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
若林 克法 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA独立研究者 (50325156)
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研究分担者 |
岡田 晋 筑波大学大学院, 数理物質科学研究科, 教授 (70302388)
佐々木 健一 日本電信電話(株)・NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, リサーチスペシャリスト (50396511)
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研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2013年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2011年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
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キーワード | グラフェン / 理論 / ナノリボン / エッジ状態 / 磁性 / 原子膜 / 遷移金属ダイカルコゲナイド系物質 / 電子輸送 / 第一原理計算 / 電子伝導 / ナノテクノロジー / エッジ効果 / 分子膜 / 配置間相互作用 / 電気伝導 |
研究概要 |
グラフェンおよび関連物質において、その電子物性が端や界面などの境界面によって強く変調を受けることを、理論・数値計算によって解析によって明らかにした。境界面に出現する特異な磁性状態では、キャリアドーピングによって、電荷およびスピンの励起ギャップが消失し、金属化することを見出した。さらに、コーナーエッジにおける特異な電子干渉効果などを発見した。また、グラフェン2重層系と呼ばれる、グラフェンと各種原子膜を人工的に積層した系における電子伝導特性を理論解析することで、デバイス設計に必要なる基礎理論を整備・提案した。
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