研究課題/領域番号 |
23310094
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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研究機関 | 青山学院大学 (2013) 奈良先端科学技術大学院大学 (2011-2012) |
研究代表者 |
黄 晋二 青山学院大学, 理工学部, 准教授 (50323663)
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連携研究者 |
河口 仁司 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授 (40211180)
池田 和浩 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (70541738)
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研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2013年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2012年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2011年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
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キーワード | 円偏光レーザ発振 / スピン注入 / 半導体量子井戸 / GaAs(110) / InP(110) / スピン偏極 / スピン緩和 / スピン半導体レーザ / 低消費電力化 / 量子井戸 |
研究概要 |
電気的スピン注入によって面発光半導体レーザを駆動することによって、円偏光でのレーザ発振やスピン偏極による発振しきい値の低減などのスピン偏極の効果を実験的に実証することを目指した。電気的スピン注入用電極として、GaAs(110)上のFe層やFePt層のMBE成長を行い、その構造と磁化特性の評価を進めた。作製した電極を用いて、GaAs/AlGaAs(110)量子井戸への低温でのスピン注入に成功した。しかしながら、発光の円偏光度は約5%と低く、GaAs(110)量子井戸が有する長い電子スピン緩和時間から期待される高い円偏光度は観測されなかった。
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