気相成長法による配向性平面六方晶窒化ホウ素薄膜の研究

• 研究課題/領域番号: 23310096
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: マイクロ・ナノデバイス
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 渡邊 賢司 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主席研究員 (20343840)
• 連携研究者: 谷口 尚 独立行政法人物質・材料研究機構, ナノスケール物質萌芽ラボ, グループリーダー (80354413)
• 研究期間 (年度): 2011-04-01 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2013年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円); 2012年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円); 2011年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
• キーワード: 結晶工学 / 六方晶窒化ホウ素 / グラフェン / 原子層科学 / 結晶成長 / 気相成長 / 格子欠陥 / 電子デバイス / 原子層物理 / 配向性基板 / 気相成長法

研究概要

将来的な高性能グラフェンデバイス製造を目し、電子状態に関する無干渉な基板としての六方晶窒化ホウ素（h-BN）の薄膜成長技術の開発を目的とし、気相成長法により大面積高品質の薄膜成長を目指した。特に高品質膜を得るための単結晶粒界の制御（大きさと配向）を可能とする薄膜成長条件の最適化を図った。窒素源としてアンモニア、ホウ素源としてジボランを用いた化学気相成長（CVD)法により、1300℃を越える高温成長条件において、良質なh-BNホモエピタキシャル膜を得ることができた。

研究成果

• [雑誌論文] Reconfigurable p-n junction diodes and the photovoltaic effect in exfoliated MoS2 films (2014)
  • 著者名/発表者名: S.Sutar, P.Agnihotri, E.Comfort, T.Taniguchi, K.Watanabe, and L.Ung, Ji
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 104 号: 12 ページ: 122104-122104
  • DOI: 10.1063/1.4870067
  • 査読あり
• [雑誌論文] Screening Charged Impurities and Lifting the Orbital Degeneracy in Graphene by Populating Landau Levels (2014)
  • 著者名/発表者名: A.Luican-Mayer, M.Kharitonov, G.Li, C.-P.Lu, I.Skachko, A.-M.B.Goncalves, K.Watanabe, T.Taniguchi, and E.Y.Andrei
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett 巻: 112 号: 3 ページ: 36804-36804
  • DOI: 10.1103/physrevlett.112.036804
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic structure of luminescent centers in high-efficiency Ce-doped w-AlN single crystal (2014)
  • 著者名/発表者名: R.Ishikawa, A.R.Lupini, F.Oba, S.D.Findlay, N.Shibata, T.Taniguchi, K.Watanabe, H.Hayashi, T.Sakai, I.Tanaka, Y.Ikuhara, and S.J.Pennycook
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 4 号: 1 ページ: 3778-3778
  • DOI: 10.1038/srep03778
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Ballistic Transport in Graphene Grown By Chemical Vapor Deposition (2014)
  • 著者名/発表者名: V. E. Calado, K. Watanabe, T. Taniguchi 他5名
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 104巻 号: 2 ページ: 23103-23103
  • DOI: 10.1063/1.4861627
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strong Oxidation Resistance of Atomically Thin Boron Nitride Nanosheets (2014)
  • 著者名/発表者名: L. H. Li, K. Watanabe, T. Taniguchi 他2名
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 8巻 号: 2 ページ: 1457-1462
  • DOI: 10.1021/nn500059s
  • 査読あり
• [雑誌論文] Gate Dependent Raman Spectroscopy of Graphene on Hexagonal Boron Nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: C. Kanokporn, K. Watanabe, T. Taniguchi 他3名
  • 雑誌名: J. Phys. : Condens. Matter 巻: 25巻 号: 50 ページ: 505304-505304
  • DOI: 10.1088/0953-8984/25/50/505304
  • 査読あり
• [雑誌論文] Etched Graphene Single Electron Transistors on Hexagonal Boron Nitride in High Magnetic Fields (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Epping, K. Watanabe, T. Taniguchi 他4名
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 250巻 号: 12 ページ: 2692-2696
  • DOI: 10.1002/pssb.201300295
  • 査読あり
• [雑誌論文] One-dimensional electrical contact to a two-dimensional material (2013)
  • 著者名/発表者名: L.Wang, I.Meric, P.Huang, Q.Gao, Y.Gao, H.Tran, T.Taniguchi, K.Watanabe, L.M.Campos, D.Muller, J.Guo, P.Kim, J.Hone, K.Shepard, C.Dean
  • 雑誌名: Science 巻: 342 号: 6158 ページ: 614-617
  • DOI: 10.1126/science.1244358
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and Characterization of High-Mobility Graphene p--n--p Junctions Encapsulated by Hexagonal Boron Nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Masubuchi, S. Morikawa, M. Onuki, K. Iguchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, and T. Machida,
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 52 号: 11R ページ: 110105-110105
  • DOI: 10.7567/jjap.52.110105
  • NAID: 210000143026
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photovoltaic infrared photoresponse of the high-mobility graphene quan turn Hall system due to cyclotron resonance (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Masubuchi, M. Onuki, M. Arai, T. Yamaguchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Machida
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 88 号: 12 ページ: 121402-121402
  • DOI: 10.1103/physrevb.88.121402
  • 査読あり
• [雑誌論文] Etched graphene quantum dots on hexagonal boron nitride, (2013)
  • 著者名/発表者名: S. Engels, A. Epping, C. Volk, S. Korte, B. Voigtlander, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Trellenkamp, and C. Stampfer
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 103 号: 7 ページ: 73113-73113
  • DOI: 10.1063/1.4818627
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dielectric screening of the Kohn anomaly of graphene on hexagonal boron nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Forster, A. Molina-Sanchez, S. Engels, A. Epping, K. Watanabe, T. Taniguchi, L. Wirtz, and C. Stampfer
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 88 号: 8 ページ: 85419-85419
  • DOI: 10.1103/physrevb.88.085419
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of Thermally Activated Carrier Transport in Atomically Thin MoS2 on Crystalline Hexagonal Boron Nitride Substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Y. Chan, K. Watanabe, T. Taniguchi 他8名
  • 雑誌名: Nanoscale 巻: 5巻 号: 20 ページ: 9572-9576
  • DOI: 10.1039/c3nr03220e
  • 査読あり
• [雑誌論文] Flexible and Transparent MoS2 Field-Effect Transistors on Hexagonal Boron NitrideGraphene Heterostructures (2013)
  • 著者名/発表者名: G.-H. Lee, K. Watanabe, T. Taniguchi 他11名
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 7巻 号: 9 ページ: 7931-7936
  • DOI: 10.1021/nn402954e
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Imaging of Charged Impurity Density in Common Graphene Substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: K. M. Burson, K. Watanabe, T. Taniguchi 他5名
  • 雑誌名: Nano Lett. 巻: 13巻 号: 8 ページ: 3576-3580
  • DOI: 10.1021/nl4012529
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical Spin Injection into Graphene through Monolayer Hexagonal Boron Nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, Y. Inoue, S. Masubuchi, S. Morikawa, M. Onuki, K. Watanabe, T. Taniguchi, R. Moriya, and T. Machida
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 6 号: 7 ページ: 73001-73001
  • DOI: 10.7567/apex.6.073001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Insulating Behavior At the Neutrality Point in Single-Layer Graphene (2013)
  • 著者名/発表者名: F. Amet,K. Watanabe, T. Taniguchi 他2名
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. 巻: 110巻 号: 21 ページ: 216601-216601
  • DOI: 10.1103/physrevlett.110.216601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical Thickness Determination of Hexagonal Boron Nitride Flakes (2013)
  • 著者名/発表者名: D. Golla, K. Watanabe, T. Taniguchi 他3名
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 102巻 号: 16 ページ: 161906-161906
  • DOI: 10.1063/1.4803041
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermal Conductivity and Phonon Transport in Suspended Few-Layer Hexagonal Boron Nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: I.Jo, M.T.Pettes, J.Kim, K.Watanabe, T.Taniguchi, Z.Yao, and L.Shi
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 13 号: 2 ページ: 550-554
  • DOI: 10.1021/nl304060g
  • 査読あり
• [雑誌論文] Graphene on Boron Nitride Microwave Transistors Driven By Graphene Nanoribbon Back-Gates (2013)
  • 著者名/発表者名: C. Benz, K. Watanabe, T. Taniguchi 他6名
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 102巻 号: 3 ページ: 335-335
  • DOI: 10.1063/1.4788818
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical Probing of the Electronic Interaction Between Graphene and Hexagonal Boron Nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: G. Ahn, K. Watanabe, T. Taniguchi 他5名
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 7巻 号: 2 ページ: 1533-1541
  • DOI: 10.1021/nn305306n
  • 査読あり
• [雑誌論文] Slow Gold Adatom Diffusion on Graphene : Effect of Silicon Dioxide and Hexagonal Boron Nitride Substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: L. Liu, K. Watanabe, T. Taniguchi 他7名
  • 雑誌名: The Journal of Physical Chemistry B 巻: 117巻 号: 16 ページ: 4305-4312
  • DOI: 10.1021/jp305521g
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial growth of single-domain graphene on hexagonal boron nitride (2013)
  • 著者名/発表者名: W. Yang, G. Chen, Z. Shi, C.-C. Liu, L. Zhang, G. Xie, M. Cheng, D. Wang, R. Yang, D. Shi, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Yao, Y. Zhang, and G. Zhang
  • 雑誌名: Nat. Mater 巻: 12 号: 9 ページ: 792-797
  • DOI: 10.1038/nmat3695
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hofstadter's butterfly and the fractal quantum Hall effect in moire superlattices (2013)
  • 著者名/発表者名: C.R.Dean, L.Wang, P.Maher, C.Forsythe, F.Ghahari, Y.Gao, J.Katoch, M.Ishigami, P.Moon, M.Koshino, T.Taniguchi, K.Watanabe, K.L.Shepard, J.Hone, and P.Kim
  • 雑誌名: Nature 巻: 497 号: 7451 ページ: 598-602
  • DOI: 10.1038/nature12186
  • 査読あり
• [雑誌論文] Biaxial Compressive Strain Engineering in Graphene/boron Nitride Heterostructures (2012)
  • 著者名/発表者名: W. Pan, K. Watanabe, T. Taniguchi 他7名
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 2巻 号: 1 ページ: 893-893
  • DOI: 10.1038/srep00893
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron Flow in Split-Gated Bilayer Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Droscher, K. Watanabe, T. Taniguchi 他3名
  • 雑誌名: New Journal of Physics 巻: 14巻 号: 10 ページ: 103007-103007
  • DOI: 10.1088/1367-2630/14/10/103007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Negligible Environmental Sensitivity of Graphene in a Hexagonal Boron Nitride/graphene/h-Bn Sandwich Structure (2012)
  • 著者名/発表者名: L. Wang, K. Watanabe, T. Taniguchi 他4名
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 6巻 号: 10 ページ: 9314-9319
  • DOI: 10.1021/nn304004s
  • 査読あり
• [雑誌論文] Renormalization of the Graphene Dispersion Velocity Determined From Scanning Tunneling Spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: J. Chae, K. Watanabe, T. Taniguchi 他10名
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. 巻: 109巻 号: 11 ページ: 116802-116802
  • DOI: 10.1103/physrevlett.109.116802
  • 査読あり
• [雑誌論文] Chemical Vapor Deposition of 12c Isotopically Enriched Polycrystalline Diamond (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Teraji, K. Watanabe, T. Taniguchi 他4名
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 51巻 号: 9R ページ: 90104-90104
  • DOI: 10.1143/jjap.51.090104
  • NAID: 210000072771
  • 査読あり
• [雑誌論文] Negligible Environmental Sensitivity of Graphene in a Hexagonal Boron Nitride/Graphene/h-BN Sandwich Structure (2012)
  • 著者名/発表者名: L. Wang, Z. Chen, C. R. Dean, T. Taniguchi, K. Watanabe, L. E. Brus and J. Hone
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: ACS Nano 号: 9 ページ: 9314-9319
  • DOI: 10.1021/nl301986q
  • 査読あり
• [雑誌論文] Angle-Dependent Carrier Transmission in Graphene P-N Junctions (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Sutar, K. Watanabe, T. Taniguchi 他3名
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 12巻 号: 9 ページ: 4460-4464
  • DOI: 10.1021/nl3011897
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effective Cleaning of Hexagonal Boron Nitride for Graphene Devices (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Gustavo F.Garcia, M.Neumann, F.Amet, J.R.Williams, K.Watanabe, T.Taniguchi,
  • 雑誌名: Nano Lett 巻: 12 号: 9 ページ: 4449-4454
  • DOI: 10.1021/nl3011726
  • 査読あり
• [雑誌論文] Boundary Scattering in Ballistic Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Masubuchi, K. Iguchi, T. Yamaguchi, M. Onuki, M. Arai, K. Watanabe, T. Taniguchi and T. Machida
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. 巻: 109 号: 3 ページ: 36601-1
  • DOI: 10.1103/physrevlett.109.036601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic Compressibility of Layer-Polarized Bilayer Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: A. F. Young, K. Watanabe, T. Taniguchi 他7名
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 85巻 号: 23 ページ: 235458-235458
  • DOI: 10.1103/physrevb.85.235458
  • 査読あり
• [雑誌論文] Graphene Based Heterostructures (2012)
  • 著者名/発表者名: C. R. Dean, K. Watanabe, T. Taniguchi 他7名
  • 雑誌名: Solid State Commun. 巻: 152巻 号: 15 ページ: 1275-1282
  • DOI: 10.1016/j.ssc.2012.04.021
  • 査読あり
• [雑誌論文] Graphene Growth on H-Bn By Molecular Beam Epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: J. M. Garcia, K. Watanabe, T. Taniguchi 他10名
  • 雑誌名: Solid State Commun. 巻: 152巻 号: 12 ページ: 975-978
  • DOI: 10.1016/j.ssc.2012.04.005
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large Variations of the Raman Signal in the Spectra of Twisted Bilayer Graphene on a Bn Substrate (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Kalbac, K. Watanabe, T. Taniguchi 他5名
  • 雑誌名: The Journal of Physical Chemistry Letters 巻: 3巻 号: 6 ページ: 796-799
  • DOI: 10.1021/jz300176a
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanical Cleaning of Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: S. A. M. Goossens, K. Watanabe, T. Taniguchi 他3名
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 100巻 号: 7 ページ: 73110-73110
  • DOI: 10.1063/1.3685504
  • 査読あり
• [雑誌論文] Tunneling Spectroscopy of Graphene-Boron-nitride Heterostructures (2012)
  • 著者名/発表者名: F. Amet, K. Watanabe, T. Taniguchi 他4名
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 85巻 号: 7 ページ: 73405-73405
  • DOI: 10.1103/physrevb.85.073405
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum Hall Effect Screening and Layer-Polarized Insulating States in Twisted Bilayer Graphene (2012)
  • 著者名/発表者名: J.Sanchez-Yamagishi, T.Taychatanapat, K.Watanabe, T.Taniguchi, A.Yacoby and P.Jarillo-Herrero
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett 巻: 108[7] 号: 7 ページ: 76601-1
  • DOI: 10.1103/physrevlett.108.076601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Long-Wavelength Local Density of States Oscillations Near Graphene Step Edges (2012)
  • 著者名/発表者名: J.Xue, J.Sanchez-Yamagishi, K.Watanabe, T.Taniguchi, P.Jarillo-Herrero and B.LeRoy
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett 巻: 108[1] 号: 1 ページ: 16801-1
  • DOI: 10.1103/physrevlett.108.016801
  • 査読あり
• [雑誌論文] Emergence of superlattice Dirac points in graphene on hexagonal boron nitride (2012)
  • 著者名/発表者名: Matthew Yankowitz
  • 雑誌名: Nature Physics 巻: 8 号: 5 ページ: 382-386
  • DOI: 10.1038/nphys2272
  • 査読あり
• [雑誌論文] BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Wang
  • 雑誌名: IEEE Electron Dvice Letters 巻: 32 号: 9 ページ: 1209-1211
  • DOI: 10.1109/led.2011.2160611
  • 査読あり
• [雑誌論文] Boron Nitride Substrates for High Mobility CVD Graphene (2011)
  • 著者名/発表者名: W.Gannett
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett 巻: 98 号: 24 ページ: 242105-3
  • DOI: 10.1063/1.3599708
  • 査読あり
• [雑誌論文] Micrometer -Scale Ballistic Transport in Encapsulated Graphene At Room Temperature (2011)
  • 著者名/発表者名: A. S. Mayorov, K. Watanabe, T. Taniguchi 他9名
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 11巻 号: 6 ページ: 2396-2399
  • DOI: 10.1021/nl200758b
  • 査読あり
• [雑誌論文] Exciton optical transitions in a hexagonal boron nitride single crystal (2011)
  • 著者名/発表者名: Luc Museur
  • 雑誌名: physica status solidi (RRL), Rapid Research Letters 巻: 5 号: 5-6 ページ: 214-216
  • DOI: 10.1002/pssr.201105190
  • 査読あり
• [雑誌論文] Luminescence Characteristics and Annealing Effect of Tb-Doped AlBNO Films for Inorganic Electroluminescence Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: 升本恵子
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01
  • DOI: 10.1143/jjap.50.04dh01
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hexagonal Boron Nitride as a New Ultraviolet Luminescent Material and Its Application (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 雑誌名: International Journal of Applied Ceramic Technology 巻: 8 号: 5 ページ: 977-989
  • DOI: 10.1111/j.1744-7402.2011.02626.x
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hexagonal boron nitride as a new ultraviolet luminescent material and its application-Fluorescence properties of hBN single-crystal powder (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: 20 号: 5-6 ページ: 849-852
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2011.04.002
  • 査読あり
• [雑誌論文] Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy of ultra-flat graphene on hexagonal boron nitride (2011)
  • 著者名/発表者名: Jiamin Xue
  • 雑誌名: Nature Materials 巻: 10 号: 4 ページ: 282-285
  • DOI: 10.1038/nmat2968
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum Hall Effect and Landau level crossing of Dirac fermions in trilayer graphene (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Taychatanapat
  • 雑誌名: Nature Physics 巻: 7 号: 8 ページ: 621-624
  • DOI: 10.1038/nphys2008
  • 査読あり
• [雑誌論文] Tunable metal-insulator transition in double-layer graphene heterostructures (2011)
  • 著者名/発表者名: L.A.Ponomarenko
  • 雑誌名: Nature Physics 巻: 7 号: 12 ページ: 958-961
  • DOI: 10.1038/nphys2114
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hot Carrier-Assisted Intrinsic Photoresponse in Graphene (2011)
  • 著者名/発表者名: N.M.Gabor
  • 雑誌名: Science 巻: 344 号: 6056 ページ: 648-652
  • DOI: 10.1126/science.1211384
  • 査読あり
• [雑誌論文] Multicomponent fractional quantum Hall effect in grapheme (2011)
  • 著者名/発表者名: C.R.Dean
  • 雑誌名: Nature Physics 巻: 7 号: 9 ページ: 693-696
  • DOI: 10.1038/nphys2007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Giant Nonlocality Near the Dirac Point in Graphene (2011)
  • 著者名/発表者名: D.A.Abanin
  • 雑誌名: Science 巻: 332 号: 6027 ページ: 328-330
  • DOI: 10.1126/science.1199595
  • 査読あり
• [学会発表] 高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開 (2013)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 第15回応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会新領域研究会
  • 発表場所: 名古屋市、愛知県
  • 年月日: 2013-11-22
  • 招待講演
• [学会発表] 高温高圧法により育成した六方晶窒化ホウ素単結晶劈開面のカソードルミネッセンス像観察 (2013)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 第27回ダイヤモンドシンポジウム
  • 発表場所: 南埼玉郡、埼玉県
  • 年月日: 2013-11-21
• [学会発表] Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess (2013)
  • 著者名/発表者名: 谷口尚
  • 学会等名: 5th International Conf on Recent Progress in Graphene Research
  • 発表場所: 東京都
  • 年月日: 2013-09-11
  • 招待講演
• [学会発表] Luminescence image of cleaved crystal in hexagonal boron nitride grown by temperature gradient method (2013)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 第32回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: 守山市,滋賀県
  • 年月日: 2013-07-11
• [学会発表] Optical Properties of Boron Nitride Single Crystals (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Watanabe
  • 学会等名: CLEO-PR 2013
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2013-07-01
  • 招待講演
• [学会発表] Luminescence image of cleaved crystal in hexagonal boron nitride grown by temperature gradient method (2013)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司、谷口尚
  • 学会等名: 第32回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖,滋賀県守山市
• [学会発表] 高温高圧法により育成した六方晶窒化ホウ素単結晶劈開面のカソードルミネッ センス像観察 (2013)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司、谷口尚
  • 学会等名: 第27回ダイヤモンドシンポジウム
  • 発表場所: 日本工業大学,埼玉県埼玉郡宮代町
• [学会発表] Optical Properties of Boron Nitride Single Crystals (2013)
  • 著者名/発表者名: Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi
  • 学会等名: CLEO-PR 2013
  • 発表場所: Kyoto international conferene center,Kyoto
  • 招待講演
• [学会発表] 高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開 (2013)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司、谷口尚
  • 学会等名: 第15回応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会新領域研究会
  • 発表場所: KDX 名古屋駅前ビル名城大学名駅サテライト,名古屋
  • 招待講演
• [学会発表] Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess (2013)
  • 著者名/発表者名: 谷口尚、渡邊賢司
  • 学会等名: 5th International Conf on Recent Progress in Graphene Research
  • 発表場所: 東京工業大学 大岡山キャンパス,東京
  • 招待講演
• [学会発表] Near-band edge optical properties of hexagonal boron nitride (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Pierret
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • 発表場所: Sapporo、Japan
  • 年月日: 2012-10-17
• [学会発表] Near-band edge optical properties of hexagonal boron nitride (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Pierret
  • 学会等名: IWN2012
  • 発表場所: 札幌
• [学会発表] Fluorescence properties of hexagonal boron nitride singlecrystal powder (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 第30回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: 守山市、滋賀県
  • 年月日: 2011-07-01
• [学会発表] Fluorescence properties of hexagonal boron nitride single-crystal powder (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 第31回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
  • 年月日: 2011-07-01
• [学会発表] Excitonic fluorescence for hBN single-crystal powder (2011)
  • 著者名/発表者名: Kenji Watanabe
  • 学会等名: NDNC2011
  • 発表場所: Matsue、Japan
  • 年月日: 2011-05-19
• [学会発表] 六方晶窒化ホウ素単結晶の光学特性とその応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
  • 発表場所: 東京都
  • 年月日: 2011-04-22
  • 招待講演
• [学会発表] 六方晶窒化ホウ素単結晶の光学特性とその応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司
  • 学会等名: 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
  • 発表場所: キャンパスイノベーションセンター(東京都)(招待講演)
  • 年月日: 2011-04-22
• [図書] サイエンス誌に載った日本人研究者2013、"2次元的物質との1次元的電気接触" (2014)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司、谷口尚
  • 総ページ数: 69
  • 出版者: AAAS
• [図書] 脚光を浴びる高純度hBN"、82巻12号 (2013)
  • 著者名/発表者名: 谷口尚、渡邊賢司
  • 出版者: OYO BUTURI
• [図書] サイエンス誌に載った日本人研究者2011、"六方晶窒化ホウ素基板により新しいグラフェンの特性を発見" (2012)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司、谷口尚
  • 総ページ数: 26
  • 出版者: AAAS
• [図書] "グラフェンの特性を活かす六方晶窒化ホウ素基板～六方晶窒化ホウ素応用の進展開～", Vol.104,No.1 (2012)
  • 著者名/発表者名: 渡邊賢司、谷口尚
  • 出版者: (株)オーム社、 NEW DIAMOND
• [備考]
  • URL: http://www.nims.go.jp/personal/BN_research/index-j_BNR.html
• [備考] 窒化ホウ素の研究
  • URL: http://www.nims.go.jp/personal/BN_research
• [備考] 窒化ホウ素の研究
  • URL: http://www.nims.go.jp/personal/BN_research/
• [備考]
  • URL: http://www.nims.go.jp/personal/BN_research/