| 研究課題/領域番号 |
23340053
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
天文学
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| 研究機関 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
和田 武彦 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 助教 (50312202)
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| 研究分担者 |
尾中 敬 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (30143358)
永田 洋久 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 特定課題共同研究員 (20399299)
鈴木 仁研 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 宇宙航空プロジェクト研究員 (30534599)
金田 英宏 名古屋大学, 大学院・理学研究科, 教授 (30301724)
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| 研究協力者 |
長勢 晃一 総合研究大学院大学, 物理科学研究科, 学生
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
17,290千円 (直接経費: 13,300千円、間接経費: 3,990千円)
2013年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2012年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2011年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
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| キーワード | 赤外線天文学 / 極低温 / 集積回路 / 画像センサ / テラヘルツ / CMOS / FD-SOI / 画像センサー |
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| 研究概要 |
従来の遠赤外線画像センサーには、読みだし集積回路(ROIC)の性能(雑音、線形性、消費電力)が不十分であったため、画素数の多い画像センサーを実現出来ないという問題があった。本研究では、FD-SOI CMOS VLSI技術を用いることで、その困難を克服し、極低温でも、低雑音、良好な線形性、超低消費電力を実現する極低温ROICの開発に成功した。まず、ROICの基礎となるMOSFETを試作し極低温での特性を評価した。明らかとなった特性を基に、回路要素である、オペアンプ、シフトレジスタ、アナログスイッチを試作した。最後にそれらを組み合わせた極低温ROICを設計試作した。極低温での特性は良好であった。
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