| 研究課題/領域番号 |
23340090
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
迫田 和彰 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, ユニット長 (90250513)
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| 連携研究者 |
黒田 隆 物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主幹研究員 (00272659)
間野 高明 物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主任研究員 (60391215)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円)
2013年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2011年度: 12,480千円 (直接経費: 9,600千円、間接経費: 2,880千円)
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| キーワード | 液滴エピタキシー / 量子ドット / 電子相関 / 光子対 / 励起子複合体 / 有限要素法 / 配置間相互作用 / 微細構造分裂 |
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| 研究概要 |
格子整合系量子ドットの複合励起子の電子相関の解明と，励起子分子準位からのカスケード発光による量子もつれ合い光子対発生の実証を目的として，液滴エピタキシー法による量子ドットの自己成長，単一ドット分光法による光子相関測定，および，配置間相互作用の方法による励起子準位の理論解析を実施した。AlGaAs(111)A面上の液滴エピタキシーにより，構造制御された高対称GaAs量子ドットの作製に成功し，これを用いて世界最高性能である忠実度86％の量子もつれ合い光子対発生に成功した。さらに，液滴エピタキシーの適用対象を拡張して，通信波長帯に励起子発光帯をもつ，格子整合系InAs量子ドットの作製にも成功した。
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